Статическим характеристикам

При эксплуатации ременных передач прибегают к искусственному увеличению емкости ремня, что достигается путем расположения металлической заземленной сетки на расстоянии 15—20 см от ремня. Как известно, заряд пропорционален емкости и потенциалу. С увеличением емкости при q=const, потенциал уменьшается. Применяется также способ по борьбе со статическим электричеством путем заземления ремня скользящими щетками, которые располагаются в местах сбегания ремня со шкива. В помещениях с пожаро-, взрывоопасными зонами вместо плоских ременных передач следует применять клиновидные ремни. Ремни следует содержать в чистоте. Для уменьшения трения не допускать провисания их.

Все выше рассмотренные меры по борьбе со статическим электричеством не всегда достаточно эффективны. Для целого ряда пожароопасных и взрывоопасных производств требуются более действенные способы. Од-

4. Назовите два направления борьбы со статическим электричеством.

7. В каких областях электротехники статическое электричество вызывает нежелательные явления? Перечислить основные методы борьбы со статическим электричеством.

Транзисторы со структурой МДП нуждаются в элементах защиты от пробоя статическим электричеством. При хранении и транспортировке выводы МДП транзисторов, не имеющих встроенной защиты, должны быть соединены между собой.

•Транзисторы со структурой МДП нуждаются в элементах защиты от пробоя статическим электричеством. При хранении и транспортировке выводы МДП транзисторов, не имеющих встроенной защиты, должны быть соединены между собой.

входе скачком от потенциала земли к уровню напряжения питания и обратно существует область, в которой оба МОП-транзистора находятся в состоянии проводимости, в результате чего возникает всплеск тока от [7СС на землю. Его иногда называют «ток класса А» или «ломовой ток питания». Некоторые следствия, которые он вызывает, вы увидите в гл. 8, 9 и 14. Коль скоро мы сделали ставку на КМОП-схемы, нужно отметить и другой их недостаток (фактически, он присущ всем МОП-транзисторам) - это незащищенность от повреждения статическим электричеством. Дополнительно мы поговорим об этом в разд. 3.15.

ренней защиты, состоящие из резисторов и обратно включенных (иногда зенеров-ских) диодов, несколько ухудшают параметры, часто их все же надо применять для уменьшения риска повреждения статическим электричеством. В случае незащищенных устройств, например мощных МОП-транзисторов, устройства с малой площадью затвора (слаботочные) подвергаются наибольшей опасности повреждения, поскольку их малая входная емкость легко заряжается до высокою напряжения, когда она входит в контакт с заряженной емкостью человека 100 пФ. Наш собственный опыт работы с МОП-транзистором VN13, имеющим малую площадь затвора, был настолько удручающим, что мы больше не используем его в промышленных разработках.

Трудно переоценить проблему повреждения затвора МОП-транзистора вследствие его пробоя статическим электричеством. К счастью, разработчики МОП-транзисторов осознают серьезность этой проблемы и отвечают на нее новыми разработками с более высоким напряжением пробоя затвор-исток. Например, фирма Motorola выпустила новую серию «ТМОП IV» с напряжением пробоя затвор-исток ±50 В.

диаметром 0,5 мм. При изготовлении трансформатора рекомендуется обмотать магнитопровод тонким слоем мягкого изоляционного материала, проложить между первичной и вторичной обмоткой слой фторопластовой или лакотканевой изоляции, сделать наружную обмотку. При установке трансформатора на печатную плату следует внимательно следить за фазировкой обмоток. Не забывайте также, что классическое предупреждение о необходимости снятия статического электричества при монтаже полевых приборов остается в силе и для транзисторов MOSFET. То есть, если есть возможность, нужно выполнять монтаж заземленным паяльником и с антистатическим браслетом на руке. Автору, правда, еще не доводилось выводить из строя полевые транзисторы статическим электричеством, когда он работал без всяких мер предосторожности. Однако потенциальная опасность имеется, поэтому по возможности примите меры к ее исключению.

С помощью металлизации поверхности кристалла элементы струк« туры соединяются в схему инвертора DDJ ( 2.4,6). К затворам присоединен защитный стабилитрон VD1. На 2.4, а стабилитрон не показан, но он присутствует в структуре обязательно, иначе вход инвертора будет пробит статическим электричеством. Природу пробоя тонкого окисного слоя SiO2 можно уяснить, вспомнив формулу заряда конденсатора C=q/U. Затвор и поверхность подложки суть обкладки конденсатора С. Если в нем накопится случайный заряд q, потенциал между обкладками станет U. Если заряд стал чрезмерным (ведь ему некуда стекать), U превысит напряжение пробоя тонкого слоя диэлектрика SiOj (толщина примерно равна 1 мкм). К слову, МОП- и КМОП-уеили-тели без защитного стабилитрона существуют. Они предназначены для электрометрических цепей, т. е. фактически для измерения заряда q. Это специально оговаривается в сертификате прибора.

- параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

— параметры полевого транзистора. Они определяются из опыта или по статическим характеристикам ( 10.20) и имеют типовые значения

Экспериментальные исследования и длительный опыт эксплуатации позволяют заключить, что электропривод лебедки установок БУ-300 по своим статическим характеристикам вполне удовлетворяет требованиям технологии.

6.19. Определение параметров четырехполюсника по "статическим характеристикам ..........'.............. 121

6.19. Определение параметров четырехполюсника по статическим характеристикам

Входные и выходные параметры транзистора связаны между собой. Как отмечалось выше, эта связь может быть выражена двумя способами: с помощью входных и выходных статических характеристик транзистора и через параметры транзистора, представленного в виде четырехполюсника. Определение параметров четырехполюсника расчетным путем затруднительно, поэтому на практике используется способ нахождения этих параметров по входным и выходным статическим характеристикам транзистора ( 6.19).

- параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

— параметры полевого транзистора. Они определяются из опыта или по статическим характеристикам ( 10.20) и имеют типовые значения

— параметры биполярного транзистора, которые можно рассчитать по заданным статическим характеристикам. Их типовые значения находят-

— параметры полевого транзистора. Они определяются из опыта или по статическим характеристикам ( 10.20) и имеют типовые значения

Малосигнальные параметры транзистора для каждой схемы включения однозначно находятся по соответствующим статическим характеристикам в конкретной рабочей точке. Например, входное сопротивление определяется наклоном входной характеристики (см. 3.5,6)