Структуры управления

В ИМС находят применение структуры транзисторов, которые совместимы по технологии с биполярными.

В электрических схемах полупроводниковых аналоговых ИМС широко используются структуры планарно-эпитаксиальных транзисторов п — р — п- (реже р — п — р) типа. Граничная частота таких транзисторов достигает 150...200 МГц. В качестве диодов часто применяют структуры транзисторов, в которых используется только один р — п-переход — эмиттерный или коллекторный. Удельный вес активных элементов в полупроводниковых аналоговых (как и в логических) микросхемах значительно выше, чем в пленочных.

На базы транзисторов воздействует одно и то же переменное напряжение «вх. Однако в силу различной структуры транзисторов токи в их цепях противофазны. Нагрузочный резистор RH подклю-

Различают две основные структуры транзисторов в зависимости от типа проводимости базы ("6.1). В транзисторе со структурой р — п — р основной ток, текущий через базу, создается дырками, инжектированными из эмиттера ( 6.1, а), а в транзисторе со структурой п —- р — п — электронами ( 6.1, б).

ный коэффициент, учитывающий влияние окружающей температуры и электрической нагрузки; kt = kik2k3— поправочный коэффициент, учитывающий механические воздействия,относительную влажность и изменение атмосферного давления; Яг — интенсивность отказов элементов структуры (транзисторов, диодов, резисторов), металлизации, кристалла и конструкции (соединений, корпуса).

В пМОП ИС в качестве переключающих используют МОПТ с индуцированным каналом n-типа (с обогащением), в качестве нагрузочного резистора - МОПТ с встроенным каналом n-типа (с обеднением). Структуры транзисторов в пМОП ИС сходны с показанными на 55, 57.

16. Казенков М. Г., Баталов Б. В., Р уд е н ко А. А. и др. Проектирование физической структуры транзисторов логических интегральных схем с помощью ЭВМ. — В кн.: Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1974, вып. 7, с. 100—114.

Устройство, принцип действия, электрические характеристики и параметры дискретных биполярных транзисторов описаны в [3]. Биполярные транзисторы микросхем подразделяются на бескорпусные транзисторы (компоненты) гибридных микросхем и интегрированные в общей подложке транзисторы полупроводниковых микросхем. Полупроводниковые структуры бескорпусных транзисторов аналогичны структурам транзисторов того же назначения, заключенным в корпус. Структуры транзисторов полупроводниковых микросхем имеют существенные отличия. Они рассмотрены в данной главе.

Вертикальные структуры. Все рассматриваемые до сих пор структуры транзисторов можно назвать горизонтальными, так как в них каналы проходят параллельно поверхности кристалла. Их размеры близки к физическим пределам. Поэтому дальнейшего роста плотности элементов и степени интеграции можно добиться, переходя к бо-

В полученных островках с электропроводностью «-типа ( 7.3, б) в дальнейшем формируют структуры транзисторов

Интегральную микросхему можно получить в пластине твердого материала, создавая слои резисторов, проводников, структуры транзисторов, диодов и конденсаторов, или на пластине, осаждая слои, способные нести заданные функции. На 1-1 показаны схема и структурный профиль ИМС первого типа, называемой обычно полупроводниковой ИМС, так как вся схема изготовлена в теле полупроводникового материала, различные слои которого несут заданные электронные функции. На 1-2 показаны схема и структурный

Массовое применение интегральных схем со средней и большой степенью интеграции снизит стоимость, повысит надежность и расширит возможности использования систем автоматического управления электроприводами, позволит шире применить системы цифрового управления. Перспективным направлением в комплексных автоматизированных системах является применение микропроцессоров с программируемой памятью, контролем и связью электропривода с технологическими процессами, что дает возможность создать адаптивные самооптимизирующиеся структуры управления,

в конкретной электроустановке структуры управления технологическим процессом (цеховая, блочная, безучастковая).

На подстанциях в зависимости от их мощности, размера, сложности и значимости применяются следующие структуры управления; с постоянным дежурным персоналом; без постоянного дежурного персонала; с дежурством персонала на дому.

С помощью контрольных кабелей приборы и устройства щитов управления соединяются с управляемыми или контролируемыми объектами, образуя собственно цепи и системы управления, контроля и сигнализации. Месторасположение и конструкция щитов управления, а также функции, выполняемые дежурным персоналом щитов, зависят от принятой в конкретной электроустановке структуры управления технологическим процессом (цеховая, блочная, безучастковая).

На подстанциях в зависимости от их мощности, размера, сложности и значимости применяются следующие структуры управления: с постоянным дежурным персоналом; без постоянного персонала; с дежурством персонала на дому.

В практике эксплуатации отечественных предприятий сложились два основных вида структуры управления электрохозяйством, находящиеся в подчинении главного энергетика предприятия:

Подпрограмма ресурсного Подпрограмма контроля за ОС Подпрограмма формирования структуры управления созданием КАТЭКа

Со вторым аспектом тесно связан вопрос об управлении процессом реализации программы КАТЭКа. Следует отметить, что региональные комплексные программы в организационно-методическом отношении пока еще недостаточно привязаны к существующей системе планирования и управления народным хозяйством. Широко практикуемые разовые решения по отдельным программам определяют лишь цели программы, перечень исполнителей и ресурсы для их достижения, но «не обеспечивают ее включения в повседневный ритм экологического и социального развития отрасли, района и страны в целом» [100, с. 104]. В результате этого народное хозяйство несет убытки, о чем свидетельствует опыт реализации первой очереди создания КАТЭК. Поэтому основная задача подпрограммы формирования структуры управления комплексом — выявить возможные схемы организации управления КАТЭКа, а также наилучший вариант.

Такова принципиальная структура и основное содержание работ по формированию ЦКП развития КАТЭКа. Очевидно, что разработка такой программы в полном объеме — задача сложная и трудоемкая, требующая организации совместных усилий большого числа научно-исследовательских и проектных организаций. Вместе с тем несомненный интерес представляют выполненные в последние годы исследования методического и практического характера в рамках отдельных подпрограмм формирования комплекса — например, строительной подпрограммы [101], подпрограммы формирования пространственной структуры [99], контроля за окружающей средой [102], формирования структуры управления КАТЭКа [103] и др.

2) рассмотрение в едином комплексе мер по совершенствованию планирования, организационной структуры управления и методов хозяйствования;

До объединения энергосистем диспетчерские службы являлись неотъемлемой частью организационной структуры управления энергосистемой и соответственно подчинялись руководству системы.