Сопротивление соединения

При монтировании мощного транзистора на металлическое основание его допустимая мощность рассеяния возрастает примерно в 2,5 раза, а тепловое сопротивление снижается почти в 10 раз. Если же металлическое основание платы обдувать воздухом с объемной подачей воздушного потока со скоростью 0,198м3/мин, то температура корпуса типа ДИП при мощности рассеяния устройством 13 Вт достигает 72° С, в то время как при монтировании этого же устройства на стеклоэпоксидное основание температура корпуса повышается до 124° С. В табл. 1.8 приведены теп-

азотом (Txll К), позволяю! уменьшить Rn и увеличить т в 8 —10 раз. Соответственно возрастают и допустимые плотности тока. В гиперпроводтшках (криопроводниках), изготавливаемых из алюминия высокой чистоты (с содержанием примесей не более 0,001%) и охлаждаемых жидким водородом (Г«20 К) или неоном (Га;27 К), сопротивление снижается в несколько тысяч раз по сравнению с сопротивлением при нормальной температуре [2.34].

Из (3.50) следует, что выходное сопротивление снижается пропорционально уменьшению Ки инв .

растет ( а выходное сопротивление снижается) с увеличением угла наклона характеристик.

С увеличением контактного нажатия переходное сопротивление снижается ( 3.7). Это объясняется тем, что по мере роста нажатия на контакты увеличивается действительная площадь их соприкосновения вследствие деформации отдельных неровностей на соприкасающихся поверхностях. При дальнейшем увеличении нажатия материал контактов деформируется в меньшей степени, площадь соприкосновения возрастает медленнее, и уменьшение переходного сопротивления замедляется (кривая 1, 3.7) — для меди. Отметим, что характер изменения переходного сопротивления при уменьшении контактного нажа-

Если заземлитель выполнен в виде сетки, то его сопротивление снижается, однако эффект экранирования ограничивает это снижение. Аналогично влияют на JR и вертикальные электроды. При достаточной густоте сетки, что характерно для современных подстанций, R практически не зависит от d и глубины укладки и подсчитывается по эмпирической формуле

Коммутирующие контакты, длительно работающие под током не выключаясь, выполняются, как правило, из серебра или металлокерамик на основе серебра. Для медных контактов снижается значение тока нагрузки по сравнению с допустимым для 8-часового режима. Тем самым снижаются нагрев контактов и интенсивность их окисления. Если это допустимо по технологическим условиям, рекомендуется аппараты с медными контактами периодически, после 8— 12 ч работы, отключать 2 — 3 раза под током и снова включать. Возникающая при отключении дуга сжигает оксиды, и переходное сопротивление снижается. Во многих аппаратах (контакторы, автоматические выключатели) кинематическая схема предусматривает при замыкании некоторое проскальзывание одной контакт-детали по другой (притирающийся электрический контакт). Оксидная пленка при этом стирается.

Коммутирующие контакты, длительно работающие под током, не выключаясь, выполняются, как правило, из серебра или металлокерамик на основе серебра. Для медных контактов снижается значение тока нагрузки по сравнению с допустимым для 8-часового режима. Тем самым снижаются нагрев контактов и интенсивность их окисления. Если это допустимо по технологическим условиям, рекомендуется аппараты с медными контактами периодически, после 8 — 12 ч работы, отключать 2-3 раза под током и снова включать. Возникающая при отключении дуга сжигает окислы, и переходное сопротивление снижается. Во многих аппаратах (контакторы, автоматические выключатели) кинематическая схема предусматривает при замыкании некоторое проскальзывание одного контакта по другому. Образовавшаяся окисная пленка при этом стирается.

полупроводниковое реле РТ13 насыщается, его сопротивление снижается в несколько десятков раз, ток возрастает, что может нарушить термическую стойкость РТ13\

герметизация камеры при температуре подложки порядка 200 °С, однако при этом для создания прецизионных резисторов требуется их подгонка по номиналам сопротивления, так как при подобной термообработке сопротивление снижается неконтролируемо на 15—20 % (см. табл. 29).

Конечное значение входного сопротивления отличает рассматриваемый ОУ от схемы 2.18, а. При стабилизации коэффициента усиления схема приближается по своим свойствам к источнику ЭДС, т.е. выходное сопротивление снижается. Можно заключить, что /^вых.ос-С^'ных, что является преимуществом, достигаемым за счет ООС*.

ных методах монтажа. Тепловые характеристики кристаллов размером от 2,5x2,5 до 10x10 мм для этих методов представлены на 4.12, где RT — термическое сопротивление соединения кристалл — плата; Qu — количество теплоты, проходящее через выводы.

соединений. Общими требованиями являются минимальные переходное сопротивление соединения и его нестабильность, достаточная механическая прочность.

Можно схему фильтра собрать в другом порядке: сначала Г-образное полузвено типа k, затем Т-образное звено типа m и в конце опять Г-обраэное полузвено типа ft; тогда условие согласования также будет выполнено. Однако характеристическое сопротивление соединения вместо Znm станет равным Zn, т. е. соединение потеряет одно из основных преимуществ фильтров типа m — лучшую частотную зависимость характеристического сопротивления от частоты.

213. В радиотехнических устройствах активное сопротивление цепи R выбирается иногда таким образом, чтобы существующая между деталями схемы емкость См (емкость монтажа) уменьшала эквивалентное сопротивление соединения ( 10.14) не более чем на 10 %. При указанных условиях определить /?, если С„=20пФ, частота ^=100кГн.

имеют различную конструкцию. Наибольшее распространение получили винтовые зажимы. Зажимы переносных приборов должны иметь неспадающие головки из изоляционного материала. Там, где переходное сопротивление соединения прибора с внешней схемой не играет существенной роли в качестве зажимов у переносных приборов, применяют контактные гнезда с пружинящим соединением. На 2-16, а и б показаны два типичных зажима.

Для присоединения жил кабелей к электротехническим устройствам их оконцовывают наконечниками. Соединение жил кабелей в муфтах выполняют в соединительных и ответвительных гильзах. Соединения, ответвление и оконцевание жил приводят опрессовкой, пайкой или сваркой - газовой, электрической или термитной. Соединение или оконцевание жил должно обладать механической прочностью не ниже 0,7 прочности кабеля в целом месте. Электрическое сопротивление соединения не должно быть больше сопротивления целой жилы.

Типичная ситуация, в которой достаточно умеренное значение подавления синфазного сигнала, показана на 7.25. Эта токочувствительная схема применяется как часть источника питания постоянного тока для создания неизменного тока в нагрузке. Падение напряжения на четы-рехпроводном прецизионном мощном резисторе 0,01 Ом пропорционально току нагрузки. Хотя один конец резистора R5 присоединен к земле, глупо было бы использовать одновходовый усилитель, поскольку миллиомное сопротивление соединения даст ошибку в 10%! Очевидно, что нужен дифференциальный усилитель, но от него не требуется особенно высокий

в нем длительных напряжении, иногда при повышенных температурах. Для определения этого параметра применяются обычные методы испытаний, регистрация результатов которых также не отклоняется от нормальной практики. Для легкоплавких припоев такая информация представляет значительную ценность, так как большинство таких сплавов обладает низким сопротивлением ползучести. Правда, иногда некоторые легирующие присадки, например сурьма в оловянно-свинцовых системах, повышают сопротивление соединения ползучести до уровня, позволяющего успешно использовать данные припои в большинстве паяных соединений.

Ларазитные емкости 4.14. Сопротивление соединения и монтажные паразитные емкости.

зию (см. гл. 4), постепенно увеличивая сопротивление соединения вплоть до полного разрушения контакта.

Изолированные проводящие элементы, имеющие линейные размеры более 7,5 см, которые являются составной частью системы и подвергаются трению (например, протекающей жидкостью), могут накапливать статический заряд. Такие элементы должны быть механически соединены с конструкцией. Сопротивление соединения (в сухом состоянии) не должно превышать 1 Ом.