Сопротивление емкостного

вого индуктора, определяемое магнитным потоком Фщ; Z01 — электрическое сопротивление единичного квадрата поверхности индуктора, Z01 —

где 11 = Нтл/'\/~2 — ток в полосе шириной 1 м; г0 — активное сопротивление единичного квадрата.

Здесь г01 — электрическое сопротивление единичного квадрата первой среды в предположении, что она занимает все пространство

где г01— активное сопротивление единичного квадрата однородной среды при температуре выше точки магнитных превращений. Так как г01 = рк/Дк, имеем

Большой эффект дает постановка так называемых импедансных условий на поверхности проводящих тел. Сопротивление единичного квадрата тел,, равное отношению тангенциальных составляющих Ё и Н (см. также § 1-1):

Это выражение позволяет найти сопротивление единичного квадрата поверхности диэлектрика, т. е. волновое сопротивление среды,

Сопротивление единичного квадрата 16

У контактов с несколькими разрывами измеряются переходные сопротивления для каждого разрыва в отдельности, после чего измеряется общее сопротивление всего контакта. Такая методика позволяет выявить дефектное контактное соединение. За переходное сопротивление контакта принимают наибольшее измеренное значение не менее, чем при трах измерениях. Переходное сопротивление единичного контакта, измеренное микроомметром, должно находиться в пределах 10—20 мкОм.

В рассматриваемом случае S,, --- 1/(оу:)), где r;1 -- Ell — сопротивление единичного участка ствола, Ом/м.

где гэ — сопротивление единичного участка дуги; гэ0 — начальное сопротивление непосредственно после нулевого значения тока (t = 0); ffvSno — начальная энтальпия единичного участка ствола при t = 0;

\zmla внутреннее электрическое сопротивление одно-индуктора, определяемое магнитным потоком Ф1м; ZQI — электрическое сопротивление единичного квадрата индуктора (zoi^/W'X)-

В анализируемой электрической цепи постоянная составляющая ЭДС Е0 не вызывает установившегося тока, так как сопротивление емкостного элемента при постоянном токе рав-

Так как сопротивление емкостного элемента уменьшается с переходом к высшим гармоникам, то амплитуды гармоник тока будут увеличиваться пропорционально порядку гармоники, форма кривой тока будет искажаться еще больше в сравнении с кривой напряжения.

Сопротивление емкостного элемента для fc-й гармоники х.с = - .

При определении входного сопротивления на высоких частотах необходимо учитывать емкость Ск коллекторного р-я-перехода ( 5.7, б). Сопротивление емкостного элемента, включенного между коллектором и базой, на высоких частотах становится сравнительно небольшим. Ток через него, замыкающийся через резистор RK и источник питания Ек, соизмерим с током /'/щ, обусловленным входным сопротивлением транзистора. С учетом этого входной ток

При очень высоких частотах (о>в-мх>) коэффициент усиления /Св-»-0, так как сопротивление емкостного элемента ХСо = 1/(совС0)->

Зная собственные операторные сопротивления, можно определить входное сопротивление емкостного преобразователя:

Решен и е. Сопротивление емкостного * элемента при постоянном напряжении (м= — 0) равно бесконечности, поэтому постоянна:! составляющая тока в цепи /(0)=-0, напряжение на нагрузочном резисторе Ри,- 6 i'i t/H CD = 0. а напряжение на конденсаторе

Комплексное сопротивление емкостного элемента во всем спектре частот имеет отрицательный знак, а комплексная проводимость — положительный знак:

В области частот ниже резонансной (со<о)0) сопротивление емкостного элемента превышает по абсолютной величине сопротивление индуктивного элемента; при этом сопротивление двухполюсника имеет емкостный характер.

Комплексное сопротивление емкостного элемента во всем спектре частот имеет отрицательный знак, а комплексная проводимость — положительный:

В области частот ниже резонансной (со < со0) сопротивление емкостного элемента превышает по абсолютному значению сопротивление, индуктивного элемента; при этом сопротивление двухполюсника - имеет емкостный характер.