Схемотехнические возможности

В общем случае обмотка может быть распределена в q пазах под каждым полюсом. На VI 1.3, а схематично представлена катушечная группа при
Катушечная группа / двухслойной обмотки с укороченным шагом схематично представлена на VI 1.4, а. Другой слой этих пазов занимают катушечные группы 2 этой же фазы. Вследствие того что порядок соединения активных сторон в обмотке безразличен, можно рассматривать, что в данных пазах катушки фазы состоят из двух, сдвинутых на угол Р диаметральных катушечных групп, одна из которых расположена в верхнем слое, а другая — в нижнем. Амплитуда основной волны н. с. каждой из этих групп равна FI ( VII. 4, б). На VII. 4, в основные волны н. с. представлены двумя пространственными векторами FI, сдвинутыми на угол р. Вектор их суммы определяет амплитуду н. с. Fy всей укороченной обмотки. Треугольники векторов на VI 1.4, в и VI. 1, г подобны. Поэтому, аналогично сказанному в § VI. 1, выводим коэффициент укорочения

чения 0 и 1. Набор таких устройств, предназначенный для представления в машине многоразрядного числа (слова), называется регистром. На 2-1 схематично представлена структура такого регистра для представления n-разрядного двоичного числа. Отдельные запоминающие элементы регистра пронумерованы на рисунке цифрами от 0 до п—1 (всего п разрядов).

Структура вычислительной системы с переменным составом оборудования может быть схематично представлена следующим образом: имеется центральное ядро системы, состав которого неизменен, и произвольное число периферийных устройств, присоединяемых к центральному ядру в зависимости от требований конкретного потребителя. Состав центрального ядра и набор периферийных устройств могут быть различными. Например, в качестве центрального ядра может выступать тот минимальный комплект устройств, который позволяет рассматривать систему как самостоятельную вычислительную или управляющую машину. В этом случае ядро должно включать вычислительное устройство (процессор), выполняющее арифметические и логические операции, и память некоторого минимального объема для хранения текущих программ и данных. Присоединяя к минимальному комплекту те или иные вводные и выводные устройства, дополнительные модули памяти и т. п., получаем расши-

чения 0 и 1. Набор таких устройств, предназначенный для представления в машине многоразрядного числа (слова), называется регистром. На 2-1 схематично представлена структура такого регистра для представления га-разрядного двоичного числа. Отдельные запоминающие элементы регистра пронумерованы на рисунке цифрами от 0 до п—1 (всего п разрядов).

Структура вычислительной системы с переменным составом оборудования може" быть схематично представлена следующим образом: имеется центральное ядро системы, состав которого неизменен, и произвольное число периферийных устройств, присоединяемых к центральному ядру в зависимости от требований конкретного потребителя. Состав центрального ядра и набор периферийных устройств могут быть различными. Например, в качестве центрального ядра может выступать тот минимальный комплект устройств, который позволяет рассматривать систему как самостоятельную вычислительную или управляющую машину. В этом случае ядро должно включать вычислительное устройство (процессор), выполняющее арифметические и логические операции, и память

На 2.1 схематично представлена классификация методов измерения и конструктивных разновидностей моментомеров.

Та же электрическая машина более схематично представлена на 6-96, где ротор заменен двумя эквивалентными обмотками. Стрелки около этих обмоток ротора указывают на то, что в них наводятся э. д. с. вращения при пересечении проводниками ротора продольного и поперечного магнитных полей.

На 2.1 схематично представлена классификация методов измерения и конструктивных разновидностей моментомеров.

В силу того, что амплитуда сезонных колебаний потребления ко-тельно-печного топлива значенительно выше, чем амплитуда сезонных колебаний производства, в летний период происходит накопление сезонных запасов. Их объем достигает максимума осенью. В зимний период происходит сработка сезонных запасов. Многолетние и страховые запасы представляют собой разницу между суммарными располагаемыми запасами и сезонными запасами на данный момент времени. Динамика формирования и использования запасов топлива схематично представлена на 8.2.

Приближенный учет местной податливости в разрывных сопряжениях. При расчете узлов конструкций ВВЭР с применением методов теории оболочек и колец возможен приближенный учет местной податливости в разрывных сопряжениях. Здесь в качестве примера рассматривается местная податливость в зоне сопряжения, которая может быть схематично представлена в виде упругого углового шарнира (см. строка 2, столбец d в табл. 3.3). Такое сопряжение имеет место в разъемных соединениях элементов с малыми площадками контакта. В этом случае замена реальных контактных зон идеальными угловыми шарнирами вызывает завышение взаимных угловых перемещений. Тем не менее из-за трудоемкости

В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т. д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем — усилителей, преобразователей, коммутаторов, устройств селекции и сравнения, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

Многих недостатков, присущих обеим разновидностям полупроводниковых ИМС, лишены гибридные интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными, т. е. компонентами. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации гибридных ИМС определяется количеством используемых навесных компонентов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. Гибридные ИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки практически не оказывает влияния на электрические

• Логические и схемотехнические возможности базовых функциональных элементов определяются совокупностью элекрических и функциональных параметров, которые являются основными для микросхем.

Различные схемотехнические возможности применения основных логических ИМС на п-канальных МДП-транзисторах реализованы в сериях цифровых микросхем К565, К568, К580, К586, К.801 и др., выпускаемых отечественной промышленностью.

Метод создания Д/МДП структур позволяет создать много различных типов приборов на эпитаксиальных пленках ( 18-5,а). Использование эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках расширяет схемотехнические возможности Д/МДП интегральных микросхем.

Сочетание фотоизлучателя и фотоприемника в оптроне получило название оптоэлектронной пары. Наиболее распространенными излучателями являются светодиоды, выполненные на основе арсени-да галлия, фосфида галлия, фосфида кремния, карбида кремния и др. Они имеют высокое быстродействие (порядка 0,5 мкс), миниатюрны и достаточно надежны в работе. По своим спектральным характеристикам светодиоды хорошо согласуются с фотоприемниками, выполненными на основе кремния. Поскольку схемотехнические возможности оптрона определяются главным образом характеристиками фотоприемника, этот элемент и дает название оптрона в целом. К основным разновидностям оптронов относятся: резисторные (фотоприемником служит фоторезистор); диодные (фотоприемник — фотодиод); транзисторные (фотоприемник — фототранзистор) и тиристорные (фотоприемник — фототиристор).

Многих недостатков, присущих обеим разновидностям полупроводниковых ИМС, лишены гибридные интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации гибридных ИМС определяется количеством используемых навесных элементов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. Гибридные ИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС.

Логические и схемотехнические возможности базовых функциональных элементов определяются совокупностью электрических и-функциональных параметров, которые являются основными для микросхем. Основные параметры цифровых ИМС определяют до-пустимые сочетания схем в устройстве >и в обобщенном виде характеризуют работоспособность этих схем в сложных устройствах. Основ'ные параметры, число которых одинаково для всех типов; микросхем, определяют по измеряемым электрическим парамет-

Различные схемотехнические возможности применения основных логических ИМС на МДП-траизисторах реализованы в сериях цифровых микросхем К147, 178, КЮ7, КЮ8, К176 и др., выпускаемых отечественной промышленностью.

•Конструкция полупроводниковых БИС определяется типом используемых активных элементов и их структурой, числом уровней и методом создания системы внутрисхемных соединений, а также типом корпуса. Причем от конструктивных способов реализации БИС зависят их схемотехнические возможности.

Значительно меньшие размеры активных приборов, низкие уровни рассеиваемой мощности и другие схемотехнические возможности, а также сравнительная простота технологического процесса изготовления МДП-структур определили быстрый рост степени интеграции у БИС на МДПТ. Современные данные по степени интеграция для различных БИС приведены в табл. 6.3. Следует отметить, что и функциональная плотность у -БИС на МДПТ значительно больше, чем у БИС на БТ.