Соответствует логической

Уравнение (1.6) определяет зависимость напряжения от тока и носит название вольт-амперной характеристики (ВАХ) резистивного сопротивления. Если R постоянно, то ВАХ линейна ( 1.3, а) и соответствует линейному элементу. Если же R зависит от протекающего через него тока или приложенного к нему напряжения, то ВАХ становится нелинейной ( 1.3,6) и соответствует нелинейному резистивному сопротивлению.

Коэффициент пропорциональности L в формуле (1.8) называется индуктивностью. Он имеет положительное значение и является количественной характеристикой индуктивного элемента. Измеряется индуктивность L в генри (Гн), а магнитный поток Ф — в веберах (Вб). Если величина L постоянна, то зависимость (1.8) (вебер-амперная характеристика) линейна и соответствует линейному индуктивному элементу. Если же L зависит от электрического режима (тока или напряжения), то зависимость (1.8) нелинейна и соответствует нелинейному элементу индуктивности.

Если С постоянная, то вольт-кулонная характеристика (1.11) линейна и соответствует линейному емкостному элементу. Если же параметр С зависит от электрического режима, то характеристика (1.11) нелинейна и соответствует нелинейному элементу.

Вторая гармоника возникает при значительно большей степени нелинейности, чем субгармоника. Анализ показывает ( 21-25, б) возможность двух устойчивых и одного неустойчивого решения в области //, одного устойчивого решения в области /. В обеих областях выполняются условия существования второй гармоники. При плавном подъеме напряжения до точки 2 вторая гармоника не возникает. В точке 2 нулевое решение делается неустойчивым, т. е. ПОЯВДЯетСЯ ВТОраЯ ГрвШНИКа, НО ОНа устанавливается очень медленно, часто в течение нескольких секунд. Это явление называют самовозбуждением второй гармоники. Самовозбуждение требует значительного насыщения сердечника за счет потока основной частоты, в то время как точка / при отсутствии второй гармоники соответствует линейному участку кривой намагничивания. В области 11

новном на контактах между зернами полупроводника. Поэтому напряженность электрического поля на контактах получается большой даже при малых напряжениях на фоторезисторе. В связи с этим при увеличении приложенного напряжения сопротивление контактов уменьшается либо из-за эффектов сильного поля (например, туннелирование сквозь тонкие потенциальные барьеры на контактах), либо из-за разогрева приконтактных областей отдельных зерен полупроводника. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление фоторезистора определяется уже объемным сопротивлением зерен полупроводника и поэтому будет оставаться постоянным, что соответствует линейному участку ВАХ.

3. Графоаналитически, е;:лн изменение приложенного к зажимам НЭ напряжения соответствует линейному участку вольт-ампер-. ной характеристики. В этом случае расчет постоянной составляющей тока производится графически, а переменной составляющей — аналитически по уравнению закона Ома для приращения напряже-

Передаточная ВАХ мощного МДП-транзистора соответствует линейному уравнению (4.73) при напряжениях затвор— исток. с/зи> Uпор-\-Uсикрт/2 — это область CD на характеристике ( 4.28); область ВС описывается квадратичной зависимостью; область АВ — это предпороговая область чрезвычайно малых токов. Крутизна передаточной характеристики в области ВС линейно увеличивается, а в области CD не зависит от напряжения затвор — исток.

катушки 2 относительно оси катушки 1 на угол у = я/4, которое соответствует линейному смещению вдоль окружности зазора на т/2 или на четверть периода поля, потокосцепление с катушкой 1 и взаимная индуктивность будут равны нулю. Период изменения взаимной индуктивности соответствует повороту ротора на 2т или

значение для s = ^(залч + SKOH) (что соответствует линейному нарастанию скорости в течение переходного режима), получаем

Активность' 60Со в системе, исследованной Велтоном и Хес-фордом [1], растет.со временем по квадратичному закону, что соответствует линейному росту интенсивности источника. Рассмотренные здесь модели совместимы с таким характером зависимости в начальный период работы установки. Однако, как показывают настоящие расчеты по модели Велтона и Хесфорда с использованием их параметров, переход на линейный рост ак-

Уравнение (1.6) определяет зависимость напряжения от тока и носит название вольт-амперной характеристики (ВАХ) резистивного сопротивления. Если R постоянно, то ВАХ линейна ( 1.3, а) и соответствует линейному элементу. Если же R зависит от протекающего через него тока или приложенного к нему напряжения, то ВАХ становится нелинейной ( 1.3,6) и соответствует нелинейному резистивному сопротивлению.

Диодно-транзисторная логика (ДТЛ). Этот тип логики широко применялся и ранее, в схемах на дискретных элементах, особенно в схемах автоматики ( 3.6). Он осуществляет логическую операцию И — НЕ. Схема работает следующим образом: в исходном состоянии, когда на все входы поданы логические «О», прямое падение напряжения на диодах во входных цепях не превышает 0,5 В. При этом потенциал базы транзистора оказывается ниже нуля, так как в цепи базы включены последовательно два диода. Транзистор надежно заперт, напряжение на выходе схемы соответствует логической «1». Такое положение сохранится и при подаче на часть входов логической «1»; и лишь .тогда, когда на все входы будут поданы «1», потенциал базы возрастает и транзистор откроется. На выходе схемы установится логический «О». Таким образом, схема осуществляет логическую функцию И — НЕ. Возможны и более сложные схемы ДТЛ, выполняющие логическую функцию И — ИЛИ—НЕ. Представителями этого широко распространенного типа логики являются серии 104, 109, 121, 152, 156 и 217.

Логические элементы. Логические элементы в отличие от аналоговых устройств (усилителей и др.), рассмотренных в предыдущих лабораторных работах, допускают в качестве значений входных и выходных напряжений лишь два уровня: «высокий» и «низкий». Как правило, «высокий» уровень напряжения соответствует логической «1», а «низкий» — логическому «О». В транзисторно-транзисторной логике (ТТЛ) напряжение логического

Если напряжение на одном из входов соответствует логической «1» (Е>Е1), то соответствующий диод закрывается, однако остальные диоды открыты и на выходе по-прежнему остается сигнал «О». Сигнал «1» появится на выходе только тогда, когда на все входы будет воздействовать сигнал «1», все диоды окажутся закрытыми, ток через резистор будет равен нулю и «BbIX=?'i.

Схема базового элемента со сложным инвертором лежит в основе разработок большинства серий интегральных микросхем ТТЛ. Для расширения функциональных возможностей элемента промышленностью выпускаются так называемые расширители по .ИЛИ ( 5.19, а), которые представляют собой часть структуры ТТЛ и подключаются к точкам я и б элемента (см. 5.18). Полученная при этом логическая схема реализует функцию И-ИЛИ-НЕ ( 5.19,6). На выходе схемы устанавливается логический нудь, если на всех выходах VT± или на всех входах VT\ поступают сигналы, соответствующие логической единице. При всех остальных комбинациях сигналов на входах схемы выходное напряжение соответствует логической единице.

Поскольку транзистор V2 закрыт, то потенциал его коллектора, а следовательно, и потенциал базы транзистора V3 примерно равны напряжению источника питания + 5 В. В результате переход база—эмиттер транзистора V3 и диод V6 будут открыты. При этом выходное напряжение, равное потенциалу коллектора транзистора V4, составляет примерно 2,4 В, что соответствует логической 1. Такое же состояние будет и в том случае, если на один или несколько входов МЭТ подать низкие потенциалы.

зистора V5 находится под отрицательным потенциалом, то V5 открыт и напряжение на выходе соответствует логической 1 ((,'„' не менее - 7,5 В).

При подаче на оба входа сигналов, соответствующих логическому нулю, транзисторы VI, V2 закрываются, а транзисторы V3, V4 открываются, в результате чего напряжение на выходе соответствует логической 1 ( и^ых не менее 8,2 В). Если на любой из входов, например t/BX , по дан сигнал логической 1, то ключевой транзистор VI открывается, а транзистор V3 закрывается. На выходе будет напряжение, соответствующее логическому 0 ( 1^ых не более 0,3 В). Такой же результат будет, если на оба входа поданы сигналы, соответствующие уровню 1.

При этом диоды Д\ — Дз закроются, потенциал точки А возрастет до Uu,,i, а транзистор войдет в режим насыщения с низким потенциалом коллектора (логический «О»), что соответствует логической операции И — НЕ.

Если хотя бы на один из входов Х1, Х2 или ХЗ подано напряжение логического 0 низкого уровня (+0,2 В), открывается соответствующий эмиттерный переход транзистора VT1 и ток, идущий от источника питания Um, проходит через него и резистор R1. При этом транзистор VT2 закрыт, потенциал на выходе У высокий, близкий к Uwn, и соответствует логической 1.

Электрическая схема двухвходового логического элемента ИЛИ-НЕ типа пМОГ\ показана на 99. Транзистор VT3 с встроенным каналом (с обеднением) и соединенными истоком и затвором выполняет роль нагрузочного резистора, в отличие от него имеет меньшую площадь и, являясь почти генератором тока, улучшает быстродействие элемента. Если на затворы Х1 и Х2 транзисторов VT1 и VT2 с индуцированным каналом (с обогащением), имеющих пороговое напряжение i/jn.nop< подан логический О (О В), они закрыты, уровень напряжения на выходе элемента высокий и соответствует логической 1. Если хотя бы на один из затворов подана логическая 1 (+5 В), соответствующий транзистор открыт, уровень напряжения на выходе элемента низкий и соответствует логическому 0.

Для считывания слова на одну из адресных линий подают положительное напряжение. При этом пМОП-транзисторы, затворы которых подключены к адресной линии, открываются и замыкают разрядную линию на общую точку ("Земля"), что соответствует логическому "О". При этом оМОП-транзисторы с неподключенными затворами остаются закрытыми, а потенциалы соответствующих разрядных линий — высокими, что соответствует логической "1".