Сопротивления сопротивления

Второй закон: Геометрическая сумма ЭДС при обходе по замкнутому контуру равна геометрической сумме произведений токов на полные сопротивления соответствующих ветвей контура плюс геометрическая сумма напряжений, действующих в контуре:

Задача 6.3. При исходном режиме работы транзистора в каскаде на 6.1, характеризуемом данными t/кэ ='1'2 В, /к = 25 мА, выходные мощности и сопротивления соответствующих нагрузок Рн=> = 100 мВт, #„ =600 Ом, Р2=80 мВт, R№=75 О,м. Требуется опреде-

Здесь Rp, Rx — матрицы сопротивлений резистивных ребер и резистивных хорд. В этих матрицах элементы, расположенные вдоль главной диагонали, — сопротивления соответствующих резистивных элементов, остальные элементы матриц имеют нулевое значение.

Данный метод применим также и к расчету эквивалентных сопротивлений двухклеточных роторов. В этом случае пазы двойной клетки рассматриваются как один сложный паз. Проводимость перемычки между стержнями включается в проводимость верхней магнитной трубки стержня рабочей клетки. При общих замыкающих кольцах их сопротивление учитывается после определения эквивалентного сопротивления стержней гс* и X *, т.е. так же, как при фигурных пазах. При наличии раздельных замыкающих колец система уравнений и схема замещения несколько усложняются ( 8.69), так как приходится учитывать последовательно включенные в каждую из групп параллельных ветвей, относящихся к верхней и нижней клеткам, сопротивления соответствующих замыкающих колец. Приведенная на 8.69 схема замещения

участков магнитной системы реле, магнитные проводимости путей рассеивания и их коэффициенты. При расчете экранированного реле запрашиваются наружный и внутренний диаметры экрана, его длина и относительная магнитная проницаемость материала, из которого выполнен экран. В результате определяются сопротивления соответствующих участков магнитной системы реле и магнитные проводимости путей рассеивания (программой предусмотрено вычисление данных параметров для всех компоновочных схем нейтральных реле [14]).

Если ток через диод достаточно мал, то падение напряжения определяется идеализированными характеристиками переходов, при больших токах существенную роль играют также последовательные объемные сопротивления соответствующих областей. Наименьшее падение напряжения при одинаковых значениях тока наблюдается для варианта /. Это объясняется тем, что диод в этом случае работает как транзистор с замкнутым коллекторным переходом. Электроны, инжектируемые эмиттером, перемещаются через базу, достигают коллекторного перехода и свободно попадают в коллектор. Поэтому основная часть входного тока проходит через коллектор, и падение напряжения на сопротивлении базы будет значительно меньше, чем в других диодных структурах. В варианте V транзисторная структура находится в инверсном включении; так как инверсный коэффициент передачи тока мал, то базовый ток, протекающий через такую структуру, будет большим, что в свою очередь вызовет значительное падение напряжения на диоде.

Следовательно, для этой системы справедливы выражения, аналогичные первому закону Кирхгофа и закону Ома. Поэтому аналогом системы является электрическая цепь ( 5-18), включенная на неизменное напряжение U постоянного тока. Сопротивления резисторов гг, г2, га, г± и rll}, r.lr/, гя,}, г.,7 воспроизводят гидродинамические сопротивления соответствующих участков, при этом в сопротивления участков трубопроводов, идущих к потребителям, вклю-

Сопротивления Znp и ZORP определяют как полные сопротивления соответствующих схем замещения:

Поскольку полные сопротивления соответствующих схем замещения (см. 6.5) равны:

каниях в линии к каждому из сопротивлений х0, xt и л:2 самой машины необходимо прибавить сопротивления соответствующих последовательностей линии передачи.

If, Ш, tig — токи в этих обмотках; «
сопротивления сопротивления

В схемы замещения для малых приращений часто вводят не сопротивления Ru,R\z, #21, #22* кот°Рые рассматривались ранее, а некоторые расчетные сопротивления — сопротивления базы R6, коллектора /?к, эмиттера /?э и некоторый управляемый источник, ЭДС которого равна произведению тока управляемой цепи на расчетное сопротивление Rn.

Последние уравнения дают возможность найти сопротивления /?6, R3, RK и Rm no известным сопротивлениям Ru, /?,2, У?21, /?22. Источник ЭДС /?тЛгэ введен в схему замещения ( 15.22, б) для того, чтобы учесть в расчете усилительное действие транзистора; ЭДС этого источника пропорциональна входному току.

§ 15.35. Схема замещения транзистора для малых приращений. В специальной литературе по транзисторам в схемы замещения для малых приращений вводят не сопротивления Kii, Rls, Kai, К22. ° которых шла речь, а некоторые расчетные сопротивления—сопротивления базы Кб> коллектора Кк> эмиттера R3 и некоторый расчетный источник э. д. с., величина э. д. с. которого равна произведению тока управляемой цепи на расчетное сопротивление Rm.

Последние уравнения дают возможность найти сопротивления Кб> Кэ> Кк и Rm по известным сопротивлениям Ки, Кш Kai, К22- 'Источник э. д. с. Кт Д<э (A'a^A'i) введен в схему замещения 15.22, б для того, чтобы учесть в расчете усилительное действие транзистора; э. д. с. этого источника пропорциональна входному току.

Нелинейными свойствами обладают элементы электрической цени любого типа (сопротивление, индуктивность, емкость). Свойства нелинейного элемента, как правило, не имеют простого и удобного математического описания и чаще всего отражаются графиками зависимости параметра от переменной величины. Например, для какого-либо нелинейного сопротивления может быть приведен график, связывающий силу тока и падение потенциала на нелинейном сопротивлении — так называемая вольт-амперная характеристика ( 1.3). Конкретными примерами такой зависимости являются характеристики различных полупроводниковых приборов и электронных ламп. Аналогичные зависимости могут быть приведены для нелинейных емкостей ( 7.2) и индуктивностей ( 7.14).

Всякое нелинейное активное сопротивление в малой окрестности выбранной точки (рабочей точки) со значениями тока i = it и напряжения и = «х характеризуются совокупностью статического сопротивления (сопротивления постоянному току)

и дифференциального или динамического сопротивления (сопротивления переменному току)

Разумеется, всякий нелинейный элемент может использоваться так, что изменение переменных величин (силы тока, напряжения) происходит только в ограниченных пределах, в которых величина дифференциального сопротивления практически остается постоянной. В таком случае говорят о линеаризации характеристик нелинейного элемента. Весь предшествующий анализ линейных систем с активными элементами электрической цепи (усилители, параметрические цепи) основывается на такой линеаризации.

Если в данных каталога указано только максимальное значение потерь КЗ, то активные сопротивления трехобмоточных трансформаторов определяются так:

При расчетах токов КЗ и устойчивости ЭС некоторые параметры схем замещения (активные сопротивления, сопротивления ветви намагничивания) могут не учитываться (см. разд. 3.1).