Технология позволяет

Второй раздел посвящен современному состоянию и перспективам развития подсистем сборки и монтажа, контроля и регулировки РЭА. В нем рассматриваются технология получения контактных соединений пайкой, сваркой, накруткой, склеиванием; эффективные методы производства печатных плат; технологические проблемы, возникающие при автоматизированной сборке на печатных платах, внутри- и межблочном монтаже; особенности герметизации РЭА. На основании теоретических расчетов обосновывается экономическая целесообразность операций контроля и регулировки.

Отметим, что технология получения многослойной керамики является по существу модификацией технологического процесса изготовления толстопленочных схем. При этом создают многоуровневую коммутацию, что затруднено в классической толстопленочной технологии. Дело в том, что последовательное нанесение неотожженных паст на керамическую подложку через трафареты с последующим единым отжигом невозможно; в условиях же нанесения каждой пасты с последующим вжиганием необходимо обеспечить стабильность состава предыдущих слоев при температурах, равных температурам вжигания последующих слоев. Температуры вжигания последующих паст меньше предыдущих и для каждого металлического и диэлектрического слоев

Технология получения шариков на кристалле заключается в нанесении на контактные площадки слоев алюминия, хрома и никеля с химическим наращиванием до толщины в несколько микрометров и последующем об-луживании выступов в тигле с оловянисто-свинцовым припоем.

Технология получения рисунка слоя. Пленочная ИС представляет собой ряд последовательно нанесенных слоев из различных материалов, причем каждый слой имеет свой рисунок. Для полу-

3.7. Технология получения полупроводниковых материалов

3.7. Технология получения полупроводников.............. 81

Технология получения полевых МДП-транзисторов в полупроводниковых ИС гораздо проще, так как количество ответственных операций, влияющих на процесс выхода годных микросхем, значительно меньше, чем при изготовлении биполярных транзисторов.

На предприятиях радиотехнической и смежных с нею отраслей промышленности была освоена прецизионная технология получения проводникового и резистивного рисунка на основе трафаретной печати и термообработки (технология толстых пленок) или на основе вакуумных и фотолитографических процессов (технология тонких пленок).

В настоящее время разработана технология получения нового продукта химической двуокиси марганца ХДМ, которая так же, как и ГАП, представляет собой Y-модификацию. ХДМ получается в виде мелкого порошка при окислении растворенного азотнокислого марганца хлоратом натрия. Источники тока с ХДМ не уступают по своим характеристикам изделиям с ЭДМ-2.

мически обогащенный малозольный графит. Технология получения такого графита заключается в обработке при 850—950° С графитового концентрата углекислым калием с последующей нейтрализацией 5%-ным раствором серной кислоты и дополнительной очисткой соляной кислотой. В результате обработки из графита удаляются соли кремниевой кислоты и зольность графита снижается с 9—14 до 0,1—0,5%.

Технология получения таких диафрагм состоит из пропитки кабельной бумаги в электролите, нанесения слоя загущенного электролита и разрезания на 'карточки требуемого размера. По такой технологии изготовляются диафрагмы для большинства цилиндрических набивных элементов (например, № 373). Пастовые диафрагмы могут изготовляться без подложки. Например, диафрагма для батареи «Крона-ВЦ» представляет собой таблетки загущенного щелочного электролита.

Л1Ёлт_эпитаксии. Эпитаксиальная или пленочная технология позволяет контролировать толщину слоев и количество примесей, конфигурацию боковых границ р—/г-перехода без механической обработки. При использовании этой технологии можно получать р — «-переходы с пробивным напряжением 5...7 кВ. Термин «эпи-таксия» (от греческих «эпи» — на, поверх, и «таксис» — расположенный в порядке) предложен для описания процесса ориентированного нарастания кристаллов. Эпитаксиальный слой — это тонкий слой материала, осажденного на монокристаллическую подложку, сохраняющий морфологию этой подложки.

Современная технология позволяет создать надежные, малогабаритные и экономичные в эксплуатации системы. Целая сеть радиорелейных станций покрывает нашу страну. По одному «стволу» (диапазону частот с уплотнением сигналов) можно передать тысячи речевых сообщений или несколько телевизионных. К 1980 г. протяженность РРЛ у нас превысила 70 тыс. км. Телевизионное вещание через них обслуживает территорию с населением более 170 млн. человек.

Интегральная технология позволяет создавать различные стабилизирующие устройства — от простейших параметрических стабилизаторов, в качестве которых используется один из переходов интегрального транзистора, до схем стабилизаторов компенсационного и импульсного типов.

Хотя тонкопленочная технология позволяет получить более высокую плотность размещения элементов на подложке и более жесткие допуски на номиналы резисторов и конденсаторов, тем не менее толстопленочная технология имеет свои преимущества: простота изготовления и малая стоимость мелкосерийных изделий, возможность создания многослойных плат, повышенная ремонтоспособность. Толстопленочным схемам присущи высокая нагрузочная способность (мощность рассеивания до 50 Вт), большая механическая прочность, повышенная влаго- и теплоустойчивость, а также бо:;ьшие уровни рабочих напряжений (до 60 В).

Диоды. Пленарная технология позволяет формировать диоды любых типов по изложенной методике. Однако из конструктивно-технологических соображений в качестве диодов обычно используют эмиттерный или коллекторный р-д-переходы интегральных транзисторов.

Сконструированный объект надо еще изготовить. Если инженер-конструктор ответил на вопрос, что надо делать, то кто-то должен ответить на вопрос, как это делать. Однако изготовить один и тот же объект мбж;нр:. различными способами, с помощью различных технологических приемов или операций (вспомните приведенный выше пример с выбором литья или ковки, прессования или токарной обработки). Выбор технологических операций существенно влияет на эффективность производства. Одна технология позволяет получить дешевый продукт, другая — обеспечивает высокое качество производимой продукции. Одна технология ускоряет производство изделия, другая — повышает его безотказность в работе, или эксплуатационную надежность. Какую же технологию выбрать? А может быть, есть технология, которая объединяет в себе все указанные достоинства и обладает множеством других положительных качеств? И если нет такой технологии, то можно ли ее разработать? Если же нельзя, то какая технология будет оптимальной?

Основной задачей микроэлектроники является комплексная микроминиатюризация электронной аппаратуры — вычислительной техники, аппаратуры связи, устройств автоматики. Комплексная микроминиатюризация приводит к снижению стоимости, материалоемкости, энергопотребления, массы и габаритов изделий, повышению надежности и увеличению объема выполняемых электронной аппаратурой функций. Микроэлектронная технология позволяет резко

А По сравнению с биполярной технологией МДП-технология позволяет ™ получить, по крайней мере, три преимущества.

Современная технология позволяет получать тонкопленочные конденсаторы любой конструкции (см. 4.6) с емкостью 100-Ю3 пФ, допуском ±(5-=-20)%, t/p = 6-M5B, ТКС = ( —0,2-ь -=-+5)°СГ', добротностью Q=10-M00 и /СотС<5-10~~5 ч~'. При этом форма конденсатора может быть не только прямоугольной, но и фигурной для наилучшего использования площади подложки.

Пленочная технология предпочтительна в тех случаях, когда необходимо изготовить пассивные элементы с высокой точностью номиналов. Тонкопленочная технология позволяет выбрать материал с необходимыми параметрами и характеристиками и получить пассивные элементы любой требуемой конфигурации.

Коммутационные платы, содержащие не более 2...3 слоев проводников, изготавливают методами тонко-,толстопленочной или комбинированной (их сочетанием) технологии. Тонкопленочная технология позволяет получать большую плотность проводников и более сложный их рисунок. Однако из-за малой толщины межслойной изоляции велики паразитные емкостные связи между проводниками, а малая толщина проводников ограничивает максимально допустимые токи. Кроме того, довольно большое сопротивление проводников ограничивает их допустимую длину, т. е. размеры подложки и число кристаллов полупроводниковых микросхем, которые можно на ней разместить. Толстопленочная технология свободна от этих недостатков, но имеет гораздо меньшую плотность размещения проводников. Комбинированная технология позволяет достичь компромисса. Для получения высокой плотности большую часть проводников, через которые протекают малые токи, выполняют в виде тонких пленок, а проводники, предназначенные для больших токов (например, шины питания), делают толстопленочными. Возможно также создание проводников верхнего слоя методом электролитического осаждения.