Технологией изготовления

36. Ханке Х.-И., Фабиан X. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры: Пер. с нем./ Под ред. В. Н. Черняева.—М.: Энергия, 1980.—464 с.

Широко распространены ферритовые сердечники с ППГ благодаря спонтанной прямоугольности петли гистерезиса ферритов. Технология производства ферритовых сердечников с ППГ значительно проще процесса изготовления ленточных сердечников из сплавов тонкого и сверхтонкого (микронного) проката. Однако сердечники микронного проката выгодно отличаются от ферритовых своей температурной стабильностью и лучшими магнитными свойствами.

Технология производства ферритов с ППГ является прецизионной. Обычно такие ферриты получают по оксидной технологии, а также комбинированным методом с соосаждением гидрооксидов. В исходных материалах для получения шихты (оксиды железа, магния и цинка, углекислый марганец и др.) следует контролировать содержание посторонних примесей, которое ограничивается довольно жесткими нормами (99, 95 % мае.).

Рецензенты: кафедра «Конструирование и технология производства РЭА» Московского авиационного института им. Серго Орджоникидзе (зав. кафедрой д-р техн. наук, проф. Б. Ф. Высоцкий), кафедра «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры» Минского радиотехнического института (зав. кафедрой д-р техн. наук, проф. В. П. Ключников)

В пособии рассмотрены конструкции и технология производства гибридных функциональных устройств (ГИФУ) на основе корпусных и бескорпусных интегральных микросхем; особое внимание уделено сборочно-контажным операциям при производстве ГИФУ.

22. Курносое А. И., Юдин В, В. Технология производства полупроводниковых приборов.—М.: Высшая школа. 1974.—400с.

48. Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем. — М.: Энергия 1977. —376 с.

1. Какие факторы влияют на надежность электроизмерительных приборов и какие показатели используются для ее оценки? 2. Какие существуют пути повышения надежности? 3. Как влияет технология производства на надежность электроизмерительных приборов? 4. Какие существуют разновидности технического контроля и каковы их особенности? 5. Каковы метод л контроля параметров электроизмерительных приборов и их особенности? 6. Как классифицируются испытания электроизмерительных приборов? 7. Какие испытания относятся к группе электрических, климатических, механических испытаний и в чем их основное содержание? 8. В чем заключается испытание на надежность?

9. Белевцев А. Т. Технология производства радиоаппаратуры. М., 1971.

76. Ткалин Н. М., Лукьянов В. П. Технология производства электроизмерительных приборов. М., 1970.

18. Курносое А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов. М., «Высшая школа», 1974.

Особенности компоновки ГИФУ, предназначенной для создания цифроаналоговой аппаратуры (ЦАА), определяются: типом ИМС и радиокомпонентов; оптимальным расположением ИМС и радиокомпонентов с учетом их функциональных связей; необходимым числом выводов для соединения между функциональными ячейками с учетом их увеличения с ростом интеграции; типом многоуровневой коммутационной платы; технологией изготовления жесткого основания каркаса; требованиями по теплопередаче выделяемой мощности и механическим перегрузкам.

Оценка влияния отклонений Ь? и 32 от расчетных значений на характеристику напор — подача насоса проведена по [8]. Результаты расчета максимально возможных отклонений характеристик Н — Q, вызываемых технологией изготовления рабочих колес, представлены на 4.9.

Технология изготовления элементов БИС полностью совпадает с технологией изготовления элементов малых и средних ИС. Качественное отличие между технологиями БИС и МИС состоит в изготовлении многослойных соединений БИС. На первом уровне соединяются отдельные элементы; на втором уровне схемы соединяются в функциональные узлы; на третьем — формируются связи в блоках.

Минимально допустимое коллекторное деление tKmin определяется технологией изготовления коллектора:

В формулах (2.19) и (2.20) коэффициент k (А/В2) определяется конструкцией и технологией изготовления транзистора. Отметим, что крутизна как МДП-транзистора, так и полевого транзистора с р-и-перехо-дом уменьшается с падением тока стока.

шим количеством межэлементных соединений; защищенностью наиболее чувствительных элементов; групповой технологией изготовления; малыми мощностями рассеяния; невозможностью неправильного применения элементов и компонентов; конкретной областью применения; герметизацией и другими факторами, которые действуют в комплексе.

элементов и компонентов. В то же время, как доказано экспериментально, функциональная сложность ИМС мало влия--ет на их надежность, что обусловлено интегрально-групповой технологией изготовления микросхем. Этого также не учитывают рассмотренные методики расчета. И наконец, статистические методы расчета базируются на статистике •фиксации отказов отдельных элементов ИМС без анализа механизмов и причин отказов. Поэтому они нуждаются в совершенствовании по мере изучения физики отказов ИМС. В настоящее время статистические методы расчета надежности применяются для сравнительной, ориентировочной оценки надежности альтернативных решений при выборе варианта проектируемой ИМС, а также для сравнения надежности проектируемой ИМС с имеющимися аналогами. При таких расчетах абсолютная ошибка расчета не играет большой роли и не предъявляется жестких требований к достоверности исходной информации о надежности ИМС, БИС, МСБ, их элементов и компонентов.

Электрофизические свойства коммутационных проводников и контактных площадок в значительной степени определяются свойствами применяемых материалов, к которым предъявляются следующие требования: высокая электропроводность; хорошая адгезия к подложке; высокая коррозионная стойкость; обеспечение низкого и воспроизводимого переходного сопротивления контактов; возможность пайки или сварки выводов навесных компонентов и проволочных перемычек, используемых для электрического соединения контактных площадок платы с выводами корпуса; совместимость технологии нанесения пленочных коммутационных проводников и контактных площадок с технологией изготовления других элементов микросхем. Самым распространенным материалом тонкопленочных проводников и контактных площадок в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хрома, нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию, а золото — нужную электропроводность, высокую коррозионную стойкость, возможность пайки и сварки. Толщина пленочного проводника обычно составляет 0,5—1,0 мкм.

Электрические машины с безотходной технологией изготовления имеют преимущества перед обычными машинами, если сохраняются и требования к машине как к объекту эксплуатации.

Промышленность выпускает большое количество разнообразных чипов транзисторов, отличающихся технологией изготовления: сплавные, диффузионные, планарные, планарно-эпитаксиальные и т.д.

В процессе естественного отбора преимущественное применение получили гибридно-пленочные и полупроводниковые ИС, различающиеся технологией изготовления.



Похожие определения:
Тщательно промывают
Температура кристалла
Температура окружающего
Температура плавления
Температура снижается
Температура возрастает
Температуре конденсации

Яндекс.Метрика