Термическим испарением

При сварке на плите с прокладкой максимум температуры в процессе нагрева смещается из плоскости сварки (х = 0) в точку х--- — х0 (см. 16-1,6). Это смещение можно приближенно оценить, если иметь в виду, что смещение максимума прямо пропорционально разности термических сопротивлений прокладки и верхнего электрода и обратно пропорционально сумме всех термических сопротивлений, стоящих на пути теплового потока. Поэтому

Зная потери и значения термических сопротивлений, нетрудно определить значения тепловых потоков и средних температур частей статора боб и вст, равных соответствующим превышениям температур, если- прй-

Если полученную формулу сравнить с формулой (5-3), можно заключить, что формула (5-4) составлена по тому же правилу: в числителе стоит разность температур граничных поверхностей, а в знаменателе — термическое сопротивление между рассматриваемыми граничными поверхностями, которое в данном случае представляет собой сумму термических сопротивлений отдельных слоев.

Как видно, формула (5-12) для плотности теплового потока при теплопередаче аналогична формулам для плотности теплового потока, установленным ранее, т. е. в числителе стоит разность температур, а в знаменателе — сумма термических сопротивлений.

В каждой из формул для t[\ в скобках стоит сумма термических сопротивлений между поверхностью, для которой ищется значение температуры, и средой, температура которой взята как известная. Аналогичным способом можно вычислить температуры на границах других слоев.

общему правилу, пользуясь уже известными выражениями для термических сопротивлений. Возьмем самый общий случай, когда внутри и вне трубы протекают жидкости с температурами соответственно ^ и /2, Для которых коэффициенты теплоотдачи составляют: от среды внутри трубы к внутренней поверхности стенки осх и от внешней поверхности трубы к омывающей ее жидкости сс2; пусть разделительная стенка состоит из трех слоев, диаметры поверхностей которых dlf dz, d3, d± ( 5-8). Тогда поток определится выражением

Легко заметить, что сумма рассмотренных термических сопротивлений слоев RItp, RT,T, RT,O> RT,P, применительно к плавке на частоте 8000 Гц в несколько раз меньше значений RT (см. табл. 1). Соответственно сумма перепадов температуры Дгр, Д?г, ДГ0 существенно ниже значений Д?. Таким образом, на данном этапе изучения теплопередачи от расплава введенное ранее допущение о существовании слоя адсорбированных примесей или газовых прослоек оказывается необходимым для физического объяснения высоких значений экспериментально определяемых термических сопротивлений в системе и самой возможности реализации рабочего процесса в ИПХТ-М (по крайней мере на повышенных частотах).

— мера отношения термических сопротивлений внутри тела и снаружи;

Линии 110—500 кВ сооружаются с использованием маслонаполненных кабелей низкого давления (марок МНСК, МНСА и др.) или высокого давления (марок МВДТ, МВДТк). Для линий 110—220 кВ перспективным является и применение кабелей с полиэтиленовой изоляцией. Тепловая схема замещения для одножильных кабелей типа МНСК и с полиэтиленовой изоляцией представлена на 51.7, б. Согласно этой схеме расчет допустимого тока нагрузки следует производить по формуле (51.12). Формулы для расчета термических сопротивлений, входящих в (51.12), были приведены ранее.

Из этого уравнения следует, что общее термическое сопротивление складывается из частных термических сопротивлений. К ним относятся: 1/otj и 1/а2 — внешние термические сопротивления теплоотдачи соответственно от горячей жидкости к стенке и от Поверхности стенки к холодной жидкости; 8Д — внутреннее термическое сопротивление теплопроводности стенки.

В зависимости от значения омических и термических сопротивлений (значения непроизводительных потерь) наклоны напор-расходных характеристик изменяются. Наклоны также изменяются при изменении магнитной индукции В. Если термоЭДС генератора задана, то требуемый расход достигается выбором значения магнитной индукций

ден — золото вскрываются окна над контактными участками. Далее термическим испарением или катодным распылением наносится электрод из золота. С помощью фоторезистивной маски выполняется локальное электролитическое осаждение золота. Технология электролитического выращивания столбиков меди более проста. На подложку напыляется медь с подслоем хрома. С помощью маски из фоторезиста в местах выступов гальванически наращивают медные выводы, затем на них осаждают золото или сплав никель — золото толщиной 24...50 мкм.

а) термическим испарением материалов в вакууме с конденсацией паров этих материалов на поверхность подложки;

Нанесение пленок через съемные маски осуществляют термическим испарением в вакууме либо ионно-плазменным распылением. Метод катодного распыления через съемные металлические маски не применяют, поскольку маска является экраном, искажающим электрическое поле между анодом и катодом, что может привести к прекращению процесса распыления; использование для этих целей масок из диэлектрических материалов нецелесообразно из-за низкой точности и трудности их изготовления.

Создание контактных систем на основе других материалов. Формирование на кремнии двухслойной омической контактной системы Ti — Аи производят методом термического испарения или катодного осаждения. Сначала пленку титана наносят термическим испарением титана с вольфрамовой спирали. Для предотвращения окисления титана давление в рабочей камере поддерживают на уровне ~ 10 ~9 Па. После нанесения слоя титана на него методом термического испарения из молибденовой или танталовой лодочки наносят пленку золота. Благодаря хорошей адгезии титана к диоксиду кремния можно создавать контактные системы, распространяющиеся на пленку 8Юг (см. 7.1,6). В качестве проводящего слоя вместо золота можно наносить никель или серебро.

Электролюминесцентные пленочные излучатели отличаются от электролюминесцентных порошковых излучателей тем, что между двумя электродами в них находится однородная поликристаллическая пленка электролюминофора, созданная термическим испарением с последующим осаждением в вакууме. Так как в электролюминесцентных пленочных излучателях отсутствует диэлектрическая связка в электролюминофоре, они могут работать и на постоянном токе.

В технологии ИМС используются два способа получения ТОР-копленочных элементов термическим испарением в вакууме. В первом способе все позиции карусели ( 12-2) используются для создания одного слоя на нескольких (по числу позиций на карусели) подложках. В этом способе механические маски или вообще не применяются, или устанавливаются в подложкодержатель и совмещаются с подложкой на воздухе до начала процесса. В испарители загружается испаряемый материал, опускается колпак и камера откачивается до заданного разрежения. Затем одновременно

Единой теории, объясняющей механизм катодного распыления, пока не существует. Одной из теорий является теория «горячего пятна», которая объясняет распыление термическим испарением локально нагретого участка мишени вследствие 'бомбардировки ионами. Существуют также различные гипотезы о химическом взаимодействии заряженной частицы с распыляемым вещест-

Единой теории, объясняющей механизм катодного распыления, пока не существует. Одной из теорий является теория «горячего пятна», которая объясняет распыление термическим испарением локально нагретого участка мишени вследствие 'бомбардировки ионами. Существуют также различные гипотезы о химическом взаимодействии заряженной частицы с распыляемым вещест-

Термическое испарение в вакууме позволяет получать наиболее чистые пленки. Степень их загрязнения контролируется давлением в камере остаточных газов. Для понижения давления нет принципиальных ограничений. Однако термическим испарением можно получать лишь пленки сравнительно простых по химическому составу веществ. Высокая степень термической диссоциации или большое различие в парциальных давлениях отдельных компонентов сложных соединений создает серьезные трудности для воспроизведения в пленке химического состава таких соединений.

Диэлектрические пленки можно получать термическим испарением в вакууме (из резистивного испарителя или с помощью электронного луча), катодным распылением, анодированием осажденных на подложку металлических пленок, химическим осаждением — реакцией в газовой фазе и полимеризацией адсорбированных на подложке мономеров. Термическое испарение в вакууме — наиболее простой и производительный метод изготовления пленочных конденсаторов, резистивных и коммутационных элементов. Основное преимущество этого метода — унификация технологических операций получения различных элементов, возможность создания микросхемы в едином технологическом цикле.

Метод свободной маски применяется при нанесении пленок термическим испарением в вакууме. Он основан на экра-