Транзисторы тиристоры

1. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под, ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатом-издат, 1985. — 904 с.

2. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник./Под ред. Б. Л. Перельмана. — М.: Радио и связь, 1981. — 656 с.

3. Мощные полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник/Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с.

8. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/Под ред. И. И. Горюнова. — М.: Энергоиздат, 1982.

8. Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник) / Под ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоатомиздат, 1985.

34. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник / В. А. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев и др. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. — М.: Энергоиздат, 1982. — 904 с.

38. Транзисторы. Справочник/ Под ред. И. Ф. Николаевского.—М.: Связь, 1970.— 623 с.

29. Транзисторы. Справочник под ред. Николаевского И. Ф. М., «Связь», 1969.

30. Под ред. И. Ф. Николаевского. Транзисторы. Справочник. «Связь», 1969.

31. Под ред. И. Ф. Николаевского. Транзисторы и полупроводниковые диоды. Справочник, Связьиздат, 1963.

21. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/Под ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985.

В качестве активных элементов в электронных устройствах применяют полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры, а в ранее разработанной аппаратуре — и электровакуумные лампы.

Активные компоненты. В качестве активных компонентов гибридных ИМС применяются дискретные полупроводниковые диоды, транзисторы, тиристоры, полупроводниковые ИМС, ГИМС чаще в бескорпусном исполнении. Используя эти компоненты, особенно ИМС, можно гибко решать ряд сложных инженерных задач по созданию нетиповых функциональных узлов, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре. При этом для достижения оптимальных электрических параметров на одной подложке гибридной ИМС можно совмещать активные компоненты, выполненные по разным технологиям: биполярной, МОП и т. д. Использование дискретных активных компонентов позволяет в ряде случаев создать образцы силовых гибридных ИМС, что представляет серьезные трудности на современном этапе при совместном изготовлении маломощных и мощных активных элементов на одном кристалле в виде полупроводниковой ИМС. Проводники и контактные площадки. Объединение пленочных пассивных элементов и навесных компонентов в гибридную ИМС осуществляется пленочными проводниками и контактными площадками. Такие элементы

Пленочными называют схемы, нанесенные в виде тонких пленок на изоляционную подложку из стекла или керамики. Термин «тонкие пленки» относится к проводящим, полупроводниковым и непроводящим покрытиям толщиной до нескольких микрометров. В зависимости от назначения тонких пленок и от материала тонкопленочного покрытия применяют методы вакуумного напыления, катодного распыления, электролиза, фотохимического покрытия, печатного, диффузионного, термического окисления и др. В состав пленочных схем входят как пассивные элементы — резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, так и активные элементы — диоды, транзисторы, тиристоры. Для изготовления тонкопленочных резисторов применяют металлы и сплавы металлов с высоким удельным сопротивлением: нихром, никель, тантал. Изменяя площадь тонкопленочного резистора и соотношение его сторон, можно при неизменной толщине пленки получить сопротивление от десятков ом до нескольких килоом с точностью ±2%. Материалом для обкладок конденсаторов в тонкопленочном исполнении служит алюминий или медь, в качестве диэлектрика применяют микропленки из фтористого магния, имеющие диэлектрическую проницаемость около 6,5 при пробивном напряжении ~2-10" в/см.

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. ТИРИСТОРЫ

Глава четвертая. Биполярные транзисторы. Тиристоры..........33

Различают неуправляемые нелинейные сопротивления (лампы накаливания, газотроны, бареттеры, полупроводниковые диоды и т. д.), которые характеризуются одной вольт-амперной характеристикой, и управляемые (многоэлектродные лампы, транзисторы, тиристоры и др.), которые характеризуются семейством вольт-амперных характеристик.

Преобразование постоянного тока в переменный производится с помощью инверторов, в которых используются управляемые вентили: транзисторы, тиристоры и др.

Интегральные микросхемы принято классифицировать по способам изготовления и получаемым при этом структурам на полупроводниковые и пленочные. Под полупроводниковыми понимают микросхемы, все компоненты которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой пластинки. В пленочных пассивных микросхемах компоненты — резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности — выполняются в виде пленок, наносимых на диэлектрическую пластинку. Если необходимо, чтобы в состав пленочной микросхемы входили помимо пассивных элементов и активные (биполярные и полевые транзисторы, тиристоры и т. д.), то последние приходится выполнять в виде отдельных дискретных микроминиатюрных компонентов и подсоединять к пленочной микросхеме. Полученная таким способом микросхема называется гибридной микросхемой. Если в интегральной микросхеме активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводника, поверх которого нанесены пассивные пленочные компоненты, то такая микросхема называется совмещенной.

Полупроводниковые приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников — веществ, занимающих промежуточное положение между проводниками и диэлектриками по величине их удельного электрического сопротивления. Основными классами полупроводниковых приборов являются диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры, фотоэлектронные и оптоэлектронные приборы.

В каких областях техники находят применение транзисторы и тиристоры?

К пассивным элементам электронных схем относят резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, трансформаторы, к активным — диоды, транзисторы, тиристоры и др. Интегральные микросхемы содержат десятки и сотни пассивных и активных элементов. Показатель степени сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов.