Трехслойную структуру

Двигатели с изменением числа пар полюсов называются многоскоростными. Обычно они выпускаются на 2, 3 или 4 частоты вращения, причем двухскоростные двигатели изготовляются с одной обмоткой на статоре и с переключением числа пар полюсов в отношении 2:1, трехскоростные двигатели — с двумя обмотками на статоре, из которых одна выполняется с переключением пар числа полюсов в отношении 2:1, четырехскоро-стные двигатели — с двумя обмотками на статоре, каждая из которых выполняется с переключением числа пар полюсов в отношении 2:1.

Выпускаются двигатели с двумя обмотками на статоре, изолированными друг от друга, причем одна из них без переключения, а другая с переключением полюсов: В этом случае получаются трехскоростные двигатели. Если обе обмотки имеют переключение полюсов, то двигатели получаются четырехскоростными.

Для трехскоростных и четырехскорсетных асинхронных двигателей используют оба принципа изменения чисел полюсов: устанавливают две независимые обмотки, каждая m которых (в четырехскоростных) или одна из них (в трехскоростных двигателях) выполняется полюсно-переключаемой. В обмотках в большинстве случаев используют более простые схемы переключения числа пэлюсов в отношении 1 : 2. Так, например, трехскоростные двигатели 4А112М6/4/2 имеют две независимые обмотки, одна из которых рассчитана на 6 полюсов, а вторая (полюсно-

Этих же серий выпускаются двух- и трехскоростные двигатели, построенные по принципу регулирования

Этих же серий выпускаются двух- и трехскоростные двигатели, построенные по принципу регулирования

Трехскоростные двигатели имеют две независимые обмотки, в одной из которых число полюсов переключается по схеме Даландера. В четырехскоростных двигателях также применяют две независимые обмотки, переключаемые каждая по схеме Даландера.

Двигатели с изменением числа пар полюсов называются м н о-госкоростными. Обычно они выпускаются на 2, 3 или 4 скорости вращения, причем двухскоростные двигатели изготовляются с одной обмоткой на статоре и с переключением числа пар полюсов в отношении рг: pl = 2 : 1, трехскоростные двигатели —

выполняется полюсно-переключаемой. В обмотках в большинстве случаев используют более простые схемы переключения числа полюсов в отношении 1 : 2. Так, например, трехскоростные двигатели 4А112М6/4/2 имеют две независимые обмотки, одна из которых рассчитана на 6 полюсов, а вторая (полюсно-переключаемая) — на 2 и 4 полюса; в четырехскоростных двигателях 4А180М12/8/6/4 обе обмотки полюсно-переключаемые: одна на 12 и 6 полюсов, другая на 8 и 4 полюса.

Двигатели с изменением числа пар полюсов называются м н о-г о с к о р о с т н ы м и. Обычно они выпускаются на 2, 3 или 4 скорости вращения, причем двухскоростные двигатели изготовляются с одной обмоткой на статоре и с переключением числа пар полюсов в отношении р2 '¦ Р\ = 2 : 1, трехскоростные двигатели —

Д, Е — трехскоростные двигатели, Ж — четырехскоростмые двигатели.

Для главного привода сверлильных станков применяются в основном короткозамкнутые асинхронные двигатели в сочетании с коробкой передач или двух-трехскоростные двигатели. Для приводов перемещения траверсы и зажима колонны применяются обычно отдельные асинхронные двигатели.

Плоскостной биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру типа п-р-п ( 10.14) и типа р-п-р. На 10.15, а и б даны условные изображения этих транзисторов. Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей зарядов обоих знаков (свободных дырок и электронов).

Плоскостной биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру типа п-р-п ( 10.14) и типа р-п-р. На 10.15, 0 и б даны условные изображения этих транзисторов. Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей зарядов обоих знаков (свободных дырок и электронов).

Плоскостной биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру типа п-р-п ( 10.14) и типа р-п-р. На 10.15, а кб даны условные изображения этих транзисторов. Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей зарядов обоих знаков (свободных дырок и электронов).

Пленочные конденсаторы. Такие конденсаторы относятся к числу наиболее распространенных элементов ГИС. Конструктивно пленочные конденсаторы представляют собой трехслойную структуру металл — диэлектрик — металл (МДМ) и состоят из нижней и верхней обкладок, разделенных слоем диэлектрического материала.

Конденсаторы и индуктивные элементы. В простейшем случае пленочный конденсатор имеет трехслойную структуру: два металлических слоя (обкладки конденсатора) с диэлектрическим слоем между ними, в более сложных — многослойную. Многие показатели пленочных конденсаторов в основном зависят от свойств диэлектрического слоя: его материала, толщины и способа получения, а состав диэлектрического слоя обусловливает соответствующий подбор материала обкладок конденсатора.

В примесных полупроводниках наблюдается эффект поля, заключающийся в изменении характера проводимости в приповерхностном слое под действием электрического поля. Например, если собрать трехслойную структуру: металл М, изолятор И и полупроводник П и через изолятор // воздействовать на поверхность полупроводника П, имеющего в одинаковой степени п-и р-проводимость, электрическим полем от батареи Еа в указанной на 6, а полярности, то образуется обогащенный дырками приповерхностный р-слой с повышенной р-проводимостью. Изменив полярность ( 6, б), получим приповерхностный слой с преобладающей п-проводимостью.

§ 15.27. Основные сведения об устройстве биполярного транзистора. Биполярным его называют потому, что его работа обусловлена носителями обеих полярностей. Транзистор представляет собой трехслойную структуру р-п-р или п-р-п-типа. Схематически структура р-п-р-тша пояснена на 15. 19; а, где знаком плюс в р-области обозначены носители положительных зарядов, знаком минус в «-области — носители отрицательных зарядов. Оба переходных слоя между р- и «-областями обладают односторонней проводимостью. Ток через каждый из этих слоев может проходить

Устройство транзисторов схематически показано на 12-1. Основанием сплавного транзистора ( 12-1, а) служит пластина и-германия, которую называет базой. С двух сторон в базу вплавлены таблетки индия, на грашщах которых с базой в процессе вплавления образуются слой с дырочной проводимостью, эмитхер-ная область (эмиттер) и коллекторная область (коллектор). По границам вплавления образуются электронно-дырочные переходы: эмиттерный и коллекторный. К базе, эмиттеру и коллектору припаяны выводы. Таким образом, транзистор в простейшем случае представляет собой трехслойную структуру, в которой крайние области образованы полупроводниками с проводимостью, отличной по виду от проводимости средней области. Эти области отделены друг от друга электронно-дырочными переходами.

Как и аналоговый, туннельный диод представляет собой трехслойную структуру металл — полупроводник (диэлектрик)— металл; причем диодную характеристику получают путем подбора материалов электродов с соответствующей работой выхода.

§ 15.27. Основные сведения об устройстве транзистора. Транзистор представляет собой трехслойную структуру р-п-р- или п-р-я-типа. Схематически структура p-n-p-типа пояснена на 15. 19, а, где знаком плюс в р-области обозначены носители положительных зарядов, знаком минус в «-области — носители отрицательных зарядов. Оба переходных слоя между р- и n-областями обладают односторонней проводимостью. Ток через каждый из этих слоев может проходить практически в том случае, если потенциал р-области выше потенциала /г-области.

Устройство транзисторов схематически показано на 12-1. Основанием сплавного транзистора ( 12-1, а) служит пластина и-германия, которую называет базой. С двух сторон в базу вплавлены таблетки индия, на грашщах которых с базой в процессе вплавления образуются слой с дырочной проводимостью, эмитхер-ная область (эмиттер) и коллекторная область (коллектор). По границам вплавления образуются электронно-дырочные переходы: эмиттерный и коллекторный. К базе, эмиттеру и коллектору припаяны выводы. Таким образом, транзистор в простейшем случае представляет собой трехслойную структуру, в которой крайние области образованы полупроводниками с проводимостью, отличной по виду от проводимости средней области. Эти области отделены друг от друга электронно-дырочными переходами.



Похожие определения:
Треугольника изменяются
Треугольники проводимостей
Треугольников напряжений
Триггерных регистрах
Тросовыми молниеотводами
Трубопроводный транспорт
Технологические трудности

Яндекс.Метрика