Трудность изготовления

Несмотря на описанные преимущества, применение аддитивного метода в массовом производстве ПП ограничено низкой производительностью процесса химической металлизации, интенсивным воздействием электролитов на диэлектрик, трудностью получения металлических покрытий с хорошей адгезией. Доминирующей в этих условиях является субтрактивная технология, особенно с переходом на фольгированные диэлектрики с тонкомерной фольгой (5 и 18 мкм).

угловой скорости привода и произвольно меняющемся моменте'нагрузки напряжение на двигателе должно регулироваться в функции двух параметров — частоты и момента. Такое регулирование может быть осуществлено в замкнутой системе управления. Практически реализация системы регулирования напряжения в функции момента нагрузки усложняется неоднозначностью закона регулирования при изменении частоты и трудностью получения информации о моменте на валу двигателя.

Дальнейшее увеличение единичной мощности турбогенераторов сдерживается трудностью получения надежных в работе цельнокованых или сварных роторов с большими массами (так как при больших диаметрах роторов и частоте вращения 3000 об/мин возникают большие окружные скорости и соответственно большие цент-

Дальнейшее увеличение единичной мощности турбогенераторов сдерживается трудностью получения надежных в работе цельнокованых или сварных роторов с большими массами (так как при больших диаметрах роторов и частоте вращения 3000 об/мин возникают большие окружные скорости и соответственно большие центробежные силы на поверхности роторов); транспортными габаритами статора; трудностью создания надежных систем возбуждения на номинальный ток ротора 8—12 кА. Выход из положения может быть найден, в частности, путем создания четырехпо-люсных турбогенераторов. У таких генераторов ротор механически менее напряжен, однако его масса значительно больше массы ротора двухполюсного турбогенератора такой же номинальной мощности, а масса поковок достигает 300—350т. Предельная мощность двухполюсных турбогенераторов 1500 МВт; четырехполюсных — 2000—2500 МВт. По оценкам предельная мощность разрабатываемых машин новых типов — криотурбогенераторов может быть доведена до 4000—5000 МВт. В табл. 4.1 приведены прогнозные оценки предельных мощностей двухполюсных и четырехполюсных турбогенераторов по материалам фирмы Броун-Бовери.

Ионное легирование характеризуется высокой стоимостью ионно-лучевых установок и их эксплуатации, а также ограниченной площадью обработки, связанной с трудностью получения широких пучков с высокой поперечной равномерностью. Для обработки больших площадей прибегают к перемещению пластин относительно ионного пучка.

Основной недостаток тонкопленочных интегральных микросхем — трудность изготовления активных элементов схемы по тонкопленочной технологии. Трудность изготовления активных элементов схем связана с трудностью получения монокристаллических полупроводниковых пленок на аморфных и полукристаллических' подложках, которые в основном применяются для тонкопленочных микросхем. Необходимость в монтаже активных элементов снижает надежность и увеличивает стоимость микросхем.

Ионное легирование характеризуется высокой стоимостью ионно-лучевых установок и их эксплуатации, а также ограниченной площадью обработки, связанной с трудностью получения широких пучков с высокой поперечной равномерностью. Для обработки больших площадей прибегают к перемещению пластин относительно ионного пучка.

Дальнейшее увеличение единичной мощности турбогенераторов сдерживается трудностью получения надежных в работе цельнокованых или сварных роторов с большими массами (так как при больших диаметрах роторов и частоте вращения 3000 об/мин возникают большие окружные скорости и соответственно большие центробежные силы на поверхности роторов); транспортными габаритами статора; трудностью создания надежных систем возбуждения на номинальный ток ротора 8—12 кА. Выход из положения может быть найден, в частности, путем создания четырехпо-люсных турбогенераторов. У таких генераторов ротор механически менее напряжен, однако его масса значительно больше массы ротора двухполюсного турбогенератора такой же номинальной мощности, а масса поковок достигает 300—350 т. Предельная мощность двухполюсных турбогенераторов 1500 МВт; четырехполюсных — 2000—2500 МВт. По оценкам предельная мощность разрабатываемых машин новых типов — криотурбогенераторов может быть доведена до 4000—5000 МВт. В табл. 4.1 приведены прогнозные оценки предельных мощностей двухполюсных и четырехполюсных турбогенераторов по материалам фирмы Броун-Бовери.

Многие исследователи стремились реализовать теоретические предсказания, но экспериментальные условия к успеху не привели. Это, с одной стороны, обусловлено несоответствием постоянных решетки материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, а, с другой стороны, связано с трудностью получения высококачественного материала с узкой шириной запрещенной зоны.

Многие исследователи стремились реализовать теоретические предсказания, но экспериментальные условия к успеху не привели. Это, с одной стороны, обусловлено несоответствием постоянных решетки материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, а, с другой стороны, связано с трудностью получения высококачественного материала с узкой шириной запрещенной зоны.

Недостатки транзисторов: зависимость параметров от температуры, малое входное сопротивление и его нелинейность, трудность изготовления транзисторов с идентичными параметрами и сравнительно высокий уровень собственных шумов. Принципиальным недостатком транзисторов является потребление мощности во входной цепи, так как транзистор управляется током, а не напряжением, как в электронной лампе. Однако преимущества транзисторов перед электронными лампами настолько существенны, что роль электронных ламп в радиоэлектронике становится все менее значительной.

вых транзисторов с максимальным коэффициентом усиления по току. Транзисторы для получения малых токов базы должны работать в режиме микротоков и обеспечивать при этом высокий коэффициент усиления каскада. В эмиттере должен быть задан весьма стабильный ток с помощью высокоомного источника. Питание каскада должно осуществляться от двух источников питания с различной полярностью для того, чтобы потенциал баз транзисторов мог быть нулевым относительно общей шины. Как видно из приведенного выше, для реализации описанной схемы необходимо наличие стабильного генератора тока и высо-коомных сопротивлений. Трудность изготовления высокоомных сопротивлений в интегральном исполнении (они занимают большую площадь и мало стабильны) приводит к необходимости использования динамических нагрузок, выполненных на транзисторах. Они при весьма малом падении постоянного напряжения на них обладают сопротивлениями, величина которых близка к дифференциальному сопротивлению закрытого коллекторного перехода.

В последние годы начали выпускаться кабели с полиэтиленовой изоляцией. Они уже широко применяются при напряжениях до 35 кВ, сейчас разрабатываются такие кабели на напряжения ПО— 220 кВ. В них используется сплошная изоляция из полиэтилена, которая наносится путем шприцевания (выдавливания) при высоком давлении и температуре. Основная трудность изготовления полиэтиленовой изоляции на высокие напряжения связана с увеличением при росте ее толщины вероятности появления газовых

двусторонним никелевым покрытием). Трудность изготовления заключается в совмещении фотошаблонов с высо-

Отсюда следует, что для получения больших плотностей тока (крутой прямой характеристики) структура полупроводниковой пленки должна обладать возможно большим совершенством. Совершенство структуры в свою очередь обусловливает получение крупных кристаллов и обеспечение стехиометрического состава (т. е. состава, соответствующего химической формуле) полупроводниковой пленки. В этом заключается основная технологическая трудность изготовления аналоговых диодов и основная причина низкой воспроизводимости их характеристик.

Основной недостаток тонкопленочных интегральных микросхем — трудность изготовления активных элементов схемы по тонкопленочной технологии. Трудность изготовления активных элементов схем связана с трудностью получения монокристаллических полупроводниковых пленок на аморфных и полукристаллических' подложках, которые в основном применяются для тонкопленочных микросхем. Необходимость в монтаже активных элементов снижает надежность и увеличивает стоимость микросхем.

двусторонним никелевым покрытием). Трудность изготовления заключается в совмещении фотошаблонов с высо-

Отсюда следует, что для получения больших плотностей тока (крутой прямой характеристики) структура полупроводниковой пленки должна обладать возможно большим совершенством. Совершенство структуры в свою очередь обусловливает получение крупных кристаллов и обеспечение стехиометрического состава (т. е. состава, соответствующего химической формуле) полупроводниковой пленки. В этом заключается основная технологическая трудность изготовления аналоговых диодов и основная причина низкой воспроизводимости их характеристик.

Недостатком сплавов типа альни, альнико и магнико является трудность изготовления из них изделий точных размеров вследствие хрупкости и твердости сплавов, допускающих обработку только путем шлифовки. Современная маркировка сплавов системы Al—Ni—Fe

В связи с необходимостью дальнейшего повышения точности первичного эталона ампера и учитывая практическую трудность изготовления соленоидов с очень большой точностью в настоящее время ведутся работы по изысканию других путей воспроизведения единицы силы тока.

Рентгенолитография 0,05 0,4 Трудность изготовления