Возрастает количество

Преимущества такой системы по сравнению с Г—Д с СМУ следующие: уменьшаются размеры силового магнитного усилителя; возрастает коэффициент усиления при одновременном увеличении быстродействия; уменьшаются размеры аппаратуры управления и элементов обратных связей; облегчается получение сигнала обратной связи по току главной цепи.

контура. Как видно, при увеличении добротности контура возрастает коэффициент усиления усилителя на резонансной частоте и уменьшается его полоса пропускания. Действительно, при частоте сигнала /, близкой к резонансной частоте /рез, так что Д/=/— —/Рез1<€/рез, отношение

Существует три причины, влияющие на изменение тока /ко под воздействием температуры (или другого вида внешнего воздействия). Так, -при возрастании температуры, во-первых, увеличивается обратный ток коллекторного перехода, во-вторых, уменьшается напряжение и6эо и, в-третьих, возрастает коэффициент В.

Обогрев химических реакторов. При обогреве химических реакторов (Т = 100—400 С) важна малая тепловая инерция индукционного способа и возможность равномерного нагрева больших поверхностей. Особенно эффективен индукционный обогрев при температурах свыше 200—250 °С. Емкости реакторов достигают десятков кубометров, давления— 10 МПа (автоклавы). Мощность системы обогрева достигает 300 кВт, частота 50 Гц. Удельные мощности обычно не превышают 10 Вт/см2. Дальнейшего увеличения мощности без сильного насыщения стали можно достичь, покрывая стенку реактора тонким слоем меди. При этом получается двухслойная среда (см. гл. 3) и напряженность магнитного поля на границе слоев падает. Одновременно возрастает коэффициент мощности устройства. Активное сопротивление и КПД незначительно снижаются. Индукторы часто секционируются для создания автономных температурных зон, регулируемых по сигналам от термопар ( 13-9). Для уменьшения взаимного влияния секции разделяются магнитными фланцами 4. Секционирование позволяет также равномерно загрузить фазы сети. Обмотки 3 делают многослойными из прямоугольного провода с теплостойкой изоляцией. Тепловая изоляция 2 может прокладываться как между корпусом реактора / и обмотками 3, так и снаружи для обеспечения допустимой температуры электроизоляции.

Большое влияние на показатели общей экономичности блоков оказывает коэффициент использования установленной мощности д Капитальная составляющая себестоимости электроэнергии изменяется практически обратно пропорционально изменению Муст. Кроме того, при уменьшении Муст обычно понижается средняя нагрузка блока, в связи с чем удельный расход условного топлива возрастает.

При проектировании устройств на полосковых линиях часто бывает нужно выполнять такие линии с изгибами. В общем случае при наличии изгибов нарушаемся однородность линии и, как следствие, возрастает коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН), что ухудшает к.п.д. линии. На 9.13, в—ч) показано несколько возможных вариантов выполнения изгиба. Плавный изгиб дает КСВН порядка 1,2; изгиб с углом а =10-:-30'" не дает заметных отражений. Если нужно сделать изгиб под углом 90', то уголок полосковой линии нужно срезать так, как показано на 9.13. При этом значительно улучшается КСВН по сравнению с КСВН для конфигурации утла, показанной на 9.13, д пунктиром.

В кремниевых транзисторах током /Кбо, как правило, можно, пренебречь ввиду его малости даже при весьма высокой температуре. Коэффициент передачи тока с ростом температуры возрастает. Коэффициент /г21Э увеличивается в два-три раза у кремниевых транзисторов в интервале температур от —60 до +150° С, а у германиевых — в интервале температур от —60 до 4-70° С,

При перекрытии фаз также незначительно возрастает коэффициент пульсаций, например, для схемы Миткевича с 25 до 28%. Такие изменения также не учитывают при расчетах.

Подсчитанное по (VIII. 91) гвых.с равно величине выходного сопротивления, оказываемого стабилизатором медленным изменениям тока. При наличии в схеме емкости С1 для тока с частотой соп, удовлетворяющей неравенству (VIII. 85), возрастает коэффициент передачи напряжения почти до единицы. При этом глубина обратной связи будет

На 4. 18, г показана принципиальная схема усилителя мощности с высокой выходной мощностью. Здесь двухтактный усилитель с дополнительной симметрией выполнен на составных транзисторах, в которых использованы транзисторы 1/5 и V6 большой мощности и транзисторы V3 и V4 малой мощности. В предварительном каскаде применен также маломощный транзистор VI. Важной особенностью схемы является подключение сопротивления смещения R6 к точке соединения конденсатора С и сопротивления нагрузки R». Такое подключение, не изменяя сопротивления R6 по постоянному току (R^^Rn), резко увеличивает динамическое сопротивление коллекторной цепи каскада предварительного усиления на VI. Действительно при появлении переменного напряжения на коллекторе транзистора VI появляется почти такое же напряжение (коэффициент передачи эмиттерного повторителя стремится к единице) на сопротивлении нагрузки RH, так как разность потенциалов на сопротивлении R6 стремится к нулю, а следовательно, динамическое сопротивление первого каскада стремится к бесконечности. Возрастает коэффициент усиления этого каскада и, что особенно важно, растет максимальная амплитуда, позволяющая получить на выходе напряжение, близкое к Ек/2.

Диоды Шотки типа VD1 уменьшают амплитуду напряжения на эмиттерных р-п переходах при переключении ЛЭ на величину 11Л\ (прямое напряжение на этих диодах), следовательно, уменьшается заряд, накапливаемый в барьерной емкости эмиттерного р-п перехода. Уменьшается и выходная емкость ЛЭ. Кроме того, диоды типа VD1 позволяют создавать ЛЭ с несколькими изолированными выходами при использовании одноколлекторных переключательных транзисторов; тем самым исключаются области пассивной базы, расположенные между коллекторами (см. 7.20), и увеличивается отношение площадей коллекторного и эмиттерного р-п переходов, т. е. возрастает коэффициент передачи p,vn-

Это время реакции может оказаться недопустимо большим для ЭВМ', предназначенных для работы в реальном масштабе времени. В таких машинах часто допускается прерывание после любого такта выполнения команды. Однако при этом возрастает количество информации, подлежащей запоминанию и восстановлению при переключении программ, так как в этом случае необходимо сохранять также и состояния в момент прерывания счетчика тактов, регистра кода операции и некоторых других. Поэтому такая организация прерывания возможна только в машинах с быстродействующей сверхоперативной памятью.

— с увеличением прямого тока величина ^ыкл возрастает, так как при этом возрастает количество накопленных в базах носителей заряда;

Для проведения функционального контроля ИМС используют различные методы, которые отличаются способами задания входных и получения выходных сигналов: в составе устройства, сравнением с эталоном, алгоритмической генерацией сигналов, кодовым сигналом, а также по заданной программе. Способ задания (генерации) входных сигналов определяет эффективность функционального контроля для конкретного вида ИМС. Так, для БИС ЗУ наиболее эффективны алгоритмические сигналы, для БИС МП — сигналы по заданной программе, полученной путем автоматического синтеза тестов, для матричных БИС — псевдослучайные коды. Поскольку с ростом функциональной сложности ИМС количество разнотипных параметров увеличивается и для БИС ЗУ, а также МП исчисляется десятками, резко возрастает количество тестов при контроле на функционирование. При этом существенно усложняется процедура контроля. Поэтому эффективным является функционально-параметрический контроль, обеспечивающий одновременно контроль функционирования ИМС и измерение (контроль) ее статических и (или) динамических параметров с заданной точностью

такое же значение возрастает количество тегоюты, передаваемое охлаждающей воде в конденсаторе 1 кг пара (потери с охлаждающей водой Д<7 , рассчитанные на 1 кг пара). Доля теплоты, превращенной в рабо-

С ростом температуры электрической машины и т возрастает количество теплоты, рассеиваемой в окружающей среде, и уменьшается часть теплоты, вызывающая повышение температуры машины.

На 7, а приведены вольт-амперные характеристики терморезистора с отрицательным ТКС (кривые А, В) и позистора (кривая С). При малых токах в терморезисторе выделяется малое количество тепла и терморезистор имеет свойства обычного резистора. С увеличением тока возрастает количество выделяемого тепла, увеличивается количество электронов проводимости и сопротивление начинает уменьшаться. Если у терморезистора хороший теплоотвод, то сопротивление уменьшается сравнительно

где cmdQ — часть тепловой энергии, которая накапливается в машине и вызывает повышение ее температуры; k^0SnnQdt — часть тепловой энергии, рассеивающейся в окружающее пространство; с — удельная теплоемкость машины (количество тепла, вызывающее повышение температуры 1 кг массы машины на ГС); т — масса машины; kTO — коэффициент теплоотдачи с поверхности (количество тепла, рассеиваемое с 1 м2 поверхности охлаждения машины в течение 1 с при разности между ее температурой и температурой окружающей среды в ГС), который определяется интенсивностью охлаждения электрической машины; 5ОХЛ — поверхность охлаждения машины; 0 — превышение температуры машины над температурой окружающей среды. По мере увеличения температуры электрической машины и величины 0 возрастает количество тепла, рассеиваемого в окружающую среду, и уменьшается часть тепла, вызывающая повышение темпера туры машины. При некотором превышении температуры 0.» наступает установившийся тепловой процесс, при котором все выделяемое в машине тепло отдается окружающей среде. В этом случае величина cmdQ = О и уравнение теплового баланса принимает вид

Барьерные и диффузионные емкости зависят от напряжений ?/ЭБ, VКБ и ?/кп. Поэтому в модели могут использоваться усредненные постоянные значения емкостей — тогда они являются параметрами модели. Для повышения точности модели могут производиться различные аппроксимации зависимостей Сбар (U) и CD (U). В этом случае заметно возрастает количество параметров модели, которые необходимо измерить. Например, зависимость барьерной емкости от напряжения на данном переходе обычно аппроксимируют функцией, Сбар = =Сбар (0)/(1 — ?//ф0)т, имеющей три параметра: Сбар (0) — емкость при нулевом напряжении на переходе; ф0 — контактная разность потенциалов перехода; т—безразмерный коэффициент, лежащий в пределах от 1/3 до 1/2. Диффузионные емкости, существенных лишь при прямых напряжениях на переходах, представляют функциями вида Сэ0 = &i/, = /г^эо lexp (i/вэ/фт) —П.

Повышение температуры процесса понижает количество трихлорсилана в конечном продукте. Одновременно в продуктах реакции возрастает количество тетрахлорсилана:

цевого тигля в атмосфере чистого водорода расплав медленно освобождается от примеси кислорода. Остаточное содержание его может быть доведено до 6-Ю13 атом/см3. Но в ходе этого процесса в расплаве германия возрастает количество растворенного кремния.

В результате этого возрастает количество носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера, и увеличивается диффузионная составляющая /ДИф тока через переход. Дрейфовая составляющая определяется только количеством неосновных носителей, подошедших к запирающему слою в процессе теплового движения, причем неосновные носители по-прежнему втягиваются полем перехода. Поэтому дрейфовый ток неосновных носителей от приложенного напряжения не зависит. Таким образом, суммарный ток через переход /а=/диФ—/др>0. Это прямой ток р-п перехода. Потенциальный барьер