Внутренними параметрами

Эластичные кремнийорганические компаунды типа «Виксинт», «Эластосил» и другие характеризуются повышенной (до 250 °С) нагрево- и влагостойкостью, низкими внутренними напряжениями, большинство из них отверждаетея при нормальных климатических условиях. Их применяют для влагозащиты полупроводниковых приборов и ИС, катушек индуктивностей из микропроводов, магнитопроводов из феррита и пермаллоя. К недостаткам этих компаундов относятся низкая адгезия и механическая прочность, выделение продуктов, вызывающих коррозию металлов, ограничение толщины заливочного состава (2.. .3 мм).

Здесь следует заметить, что существует такая достаточно большая скорость охлаждения аустенита, начиная с которой он уже не успевает распадаться на феррито-цементнуую смесь, а переохлаждаясь до вполне определенной температуры, превращается в пересыщенный твердый раствор внедрения углерода в a-Fe. Этот раствор, называемый мартенситом, очень тверд и хрупок. Его твердость составляет 600 кгс/мм2 НВ. Мартенситное превращение требует непрерывного охлаждения от температурной точки М„ (начало мартенситного превращения) до точки Мк (конец мартенсит-ного превращения). Оно происходит в результате бездиффузионного аллотропического превращения y-Fe а a-Fe (ГЦК-решетки в ОЦК), при котором вследствие отсутствия диффузии из-за низкой температуры весь находившийся в аустените растворенный углерод остается в новой ОЦК-решетке и оказывается растворенным в a-Fe. Но так как растворимость углерода в a-Fe значительно меньше, то получается пересыщенный раствор с большими искажениями решетки и внутренними напряжениями. Эти искажения и напряжения называются закалочными, их появлению способствует очень большая плотность возникающих дислокаций.

сти ТК1 напыленные пленки обладают значительными внутренними напряжениями, которые возрастают с толщиной пленки.

Сопротивления г'э, r'R, r'K являются параметрами модели, они могут не совпадать с объемными сопротивлениями областей, рассмотренными в § 4.5. При наличии резисторов диоды VDt и VD2 управляются внутренними напряжениями t/,'g и U'bl, отличающимися от внешних (^Бэ, ^БК) из-за падения напряжения на резисторах. Барьерные и диффузионные емкости зависят от напряжений U'^ и и'ък. Поэтому в модели используются либо усредненные постоянные значения емкостей — параметры модели, либо

сти ТК1 напыленные пленки обладают значительными внутренними напряжениями, которые возрастают с толщиной пленки.

Так, во многих случаях можно пренебречь некоторыми слагаемыми (3.87), что способствует значительному упрощению рассуждений. Для материалов с малой энергией естественной магнитной анизотропии приближенно принимается /С = 0, а следовательно, и ЕК = = 0. При действии небольшого магнитного поля можно пренебречь ЕН. И наконец, величина ?„• несущественна, если используются материалы с очень незначительными внутренними напряжениями.

Искажения решетки. Существенное влияние на магнитные свойства оказывают искажения строения решетки. Нарушение правильности строения ферромагнитных кристаллов, в первую очередь, происходит из-за примесей. Коэрцитивная сила в железе увеличивается при введении углерода, хрома, вольфрама и кобальта, отрицательное влияние оказывают растворенные в железе азот, кислород и водород.-Искажения решетки вызываются также внутренними напряжениями; они могут возникнуть при термической обработке, при выделении из зерен дисперсных частиц химических соединений и т. п.

ерного покрытия сочетанием свойств — минимальными содержаниями кислорода н азота, практически полным отсутствием трещин, низкими внутренними напряжениями.

Сульфаминовые электролиты образуют покрытия с минимачьными внутренними напряжениями но сравнению со всеми другими электролитами никелирования, поэтому их применяют для нанесения толстых осадков никеля в гальванопластике, при покрытии неметаллов по про-

Осадки блестящие с малыми внутренними напряжениями. Хромирование в сверхсульфатном электролите позволяет применять плотности тока до 300 А/дмг (оптимально — 80—100 А/дма) Выход но току в этом электролите достигает 20—25 %.

Сульфаматный электролит рекомендуется применять для нанесения покрытий с малыми внутренними напряжениями и большой скоростью осаждения. Перемешивать суспензии можно поопеитерной мешалкой, про TJ пая воздух И1И инертный газ, качашгем, циркуляцией и другими известными способами

ЭВМ. На ЭВМ может быть возложена и задача параметрической оптимизации, включающая целенаправленное варьирование внутренними параметрами объекта с последующим повторным анализом и оцениванием характеристик проектируемого объекта.

Эквивалентные схемы транзистора подразделяют на две большие группы: эквивалентные схемы, построенные с учетом физических свойств транзистора, его структуры и геометрии (модели транзистора), и эквивалентные схемы, отражающие свойства транзистора как активного линейного четырехполюсника (формальные эквивалентные схемы). Первые характеризуются физическими (внутренними) параметрами транзистора, вторые — параметрами транзистора как четырехполюсника (характеристическими параметрами).

Между характеристическими и внутренними параметрами транзистора для каждой схемы включения существует определенная связь, которую можно выразить системой уравнений. Например, для схемы ОБ имеем:

Главным классификационным признаком генераторов прямоугольных импульсов является характер равновесного состояния: длительно устойчивое и квазиустойчивое (почти устойчивое). В длительно устойчивом состоянии генератор может находиться сколь угодно долго и вывести его из этого состояния может лишь внешнее воздействие. Квазиустойчивое состояние сохраняется в течение конечного времени, определяемого внутренними параметрами и структурой самого генератора. Для перехода таких генераторов из одного устойчивого состояния в другое не требуется внешних воздействий.

Одновибраторы (OB), или, как их называют, ждущие мультивибраторы, относятся к классу генераторов прямоугольных импульсов, имеющих одно устойчивое состояние равновесия, т. е. это моностабильный генератор импульсов. Для его работы необходима подача на вход запускающего импульса, который выводит 0В из устойчивого состояния равновесия, и через время, определяемое внутренними параметрами схемы, он возвра* щается в исходное устойчивое состояние.

равновесия. Через конечное время, определяемое внутренними параметрами и структурой генератора, МБ без воздействия внешних сигналов переходит из одного состояния равновесия в другое. MB — стабильный генератор.

В длительно устойчивом состоянии устройство может находиться сколь угодно долго. Вывести его из этого состояния равновесия и перевести в другое может только внешнее воздействие, например поданный извне сигнал, называемый запускающим. Квазиустойчивое состояние может существовать только конечное время, определяемое внутренними параметрами и структурой генератора. По истечении указанного времени устройство самостоятельно, без использования каких-либо внешних сигналов, переходит в другое состояние равновесия. В зависимости от характера устойчивых состояний генераторы прямоугольных импульсов делятся на бистабильные, моностабильные и ас-табильные.

Для асинхронного триггера промежуток времени нахождения его в каком-либо устойчивом состоянии также можно считать тактом его действия. Длительность такта определяется промежутком времени между моментами подачи различных сигналов на информационные входы триггера, а минимальная длительность такта определяется внутренними параметрами самой триггерной схемы (временем ее переключения).

и эквивалентные схемы, отражающие свойства транзистора как активного линейного четырехполюсника (формальные эквивалентные схемы). Первые характеризуются физическими собственными или внутренними параметрами транзистора, вторые — параметрами транзистора как четырехполюсника (характеристическими параметрами). Обе группы эквивалентных схем могут быть использованы при анализе транзисторных каскадов, работающих в активном режиме.

Между характеристическими и внутренними параметрами транзистора для каждой схемы его включения существует определенная связь, которую можно выразить системой уравнений. Например, для схемы ОБ имеем:

(внешними параметрами). Эта модель — основной предмет изучения данной главы. Физико-топологическая модель описывается параметрами, связанными с геометрией и физическими свойствами структуры прибора (внутренними параметрами). Измерение внутренних параметров часто производят на промежуточных стадиях изготовления прибора, непосредственно на структуре. Как правило, физико-топологические модели сложнее функциональных и имеют большую точность.