Увеличении расстояния

При постепенном увеличении приложенного к цепи напряжения (начиная с нуля) ток вначале плавно увеличивается до некоторого значения Оа, а затем он претерпевает скачок до нового значения ОД после чего опять плавно увеличивается.

пряжения, а следовательно, не влияет на поверхностную емкость. Поверхностная емкость по-прежнему будет определяться изменением заряда на внутренней границе обедненного слоя, и, поскольку протяженность обедненного слоя при наличии инверсного слоя почти не зависит от приложенного постоянного напряжения, поверхностная емкость достигает минимального значения и не изменяется при дальнейшем увеличении приложенного напряжения.

При постепенном увеличении приложенного к цепи напряжения (начиная с нуля) ток вначале плавно увеличивается до некоторого значения Оа, а затем он претерпевает скачок до нового значения Of, после чего опять плавно увеличивается.

На участке /// происходит тепловой пробой. При увеличении приложенного обратного напряжения растет ток

новном на контактах между зернами полупроводника. Поэтому напряженность электрического поля на контактах получается большой даже при малых напряжениях на фоторезисторе. В связи с этим при увеличении приложенного напряжения сопротивление контактов уменьшается либо из-за эффектов сильного поля (например, туннелирование сквозь тонкие потенциальные барьеры на контактах), либо из-за разогрева приконтактных областей отдельных зерен полупроводника. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление фоторезистора определяется уже объемным сопротивлением зерен полупроводника и поэтому будет оставаться постоянным, что соответствует линейному участку ВАХ.

Отрицательное сопротивление характеризуется тем, что при увеличении приложенного напряжения (Ды>0) протекающий че-

синего цвета фторида тербия (TbF3). В порошковых и пленочных индикаторах происходят во многом аналогичные физические процессы. При приложении постоянного напряжения к порошковому или пленочному люминофору уровень Ферми и границы зон перехода металл — изолятор смещаются таким образом, что начинается туннелирование дырок и электронов в пленку или зерна люминофора. В результате инжекции происходит возбуждение ионов примеси Mn, Pb или TbF3, SmF3 и возникает излучательная рекомбинация. Рассмотренный механизм реализуется в приборах, где металлический электрод находится в непосредственном контакте с люминофором и при питании индикатора постоянным током. В общем случае механизм свечения пленочных и порошковых электролюминесцентных слоев обусловлен рекомбинацией носителей заряда, инжектированных кристаллом люминофора и электродами или образованных в результате туннельного эффекта и ударной ионизации. Электролюминесцентные индикаторы зачастую имеют диэлектрические слои между электродами и люминофором ( 12.6,6). Поскольку пробивная напряженность диэлектрика превышает пробивную напряженность люминофора, то при увеличении приложенного напряжения ZnS пробивается раньше и «горячие» электроны возбуждают ионы примеси.

3) варисторы — приборы, работа которых основана на эффекте уменьшения сопротивления полупроводникового материала при увеличении приложенного напряжения.

Увеличение тока эмиттера означает переход от точки 4 к точке 5 на 11, б. С повышением коллекторного напряжения при постоянном токе эмиттера ток коллектора изменяется незначительно. Небольшое увеличение тока iK (переход от точки 5 к точке 6 на 11, б) обусловлено расширением коллекторного перехода при увеличении приложенного к нему обратного напряжения, приводящим к сужению базы и уменьшению рекомбинации в ней ( 11, г). Уменьшение рекомбинации вызывает рост коэффициента передачи а и увеличение тока коллектора согласно уравнению (9).

Обращаем ваше внимание на то, что, как уже отмечалось, ток коллектора не связан с проводимостью диода. Дело в том, что обычно к диоду коллектор-база приложено обратное напряжение. Более того, ток коллектора очень мало зависит от напряжения на коллекторе (этот диод подобен небольшому источнику тока), в то время как прямой ток, а следовательно, и проводимость диода резко увеличиваются при увеличении приложенного напряжения.

На участке /// происходит тепловой пробой. При увеличении приложенного обратного напряжения растет ток

7. Молнвезащита I категории. Здания и сооружения молниезащиты I категории защищают от прямых ударов молнии, от электрической и электромагнитной индукций и от заноса высоких потенциалов через надземные и подземные коммуникации. От прямых ударов молнии защита зданий и сооружений I категории выполняется, как правило, отдельно стоящими стержневыми или тросовыми молниеотводами, которые должны обеспечить зону защиты типа А. При невозможности установки отдельно стоящих молниеотводов допускается установка изолированных молниеотводов на защищаемом здании, сооружении. При этом должны быть соблюдены наименьшие расстояния от молниеприемников, то-коопгводов и заземлителей до здания. Эти расстояния определяются по 5, 6, 7 (СН 305—77). Импульсное сопротивление заземлителя должно быть не более 10 Ом, в песке и супеске р^500 Ом-м, при соответствующем увеличении расстояния между токоотводом, заземлите-лем в зданием допускается до 40 Ом. При наличии на зданиях газоотводных или дыхательных труб пространство над ними высотой 1—2,5м и радиусом 2—5м должно входить в зону защиты молниеотвода.

емника при: а) увеличении расстояния в 2 раза; б) уменьшении расстояния в 3 раза?

С ростом давления газовой смеси скорость распыления падает. То же происходит при увеличении расстояния между катодом и подложкой.

При увеличении расстояния между электродами напряженность электрического поля между ними (при заданном напряжении) будет уменьшаться, вследствие чего будет уменьшаться и анодный ток. При приближении анода к катоду анодный ток будет увеличиваться.

[•рафике. 33. Неверно. Если это произойдет, то исчезнет причина по-тяризации и орбиты электронов вернутся в исходное состояние. Тогда снова начнется поляризации i электронные орбиты придут в колебательное движение без видимой причины. 34. Неверно. Как бы ни перемещалось пробное заряженное тело, в данном случае между направлением силы и направлением перемещения все время сохраняется усол, равный 90', и, следовательно, работа не совершается. 35. Правильно. Эта зависимость является гиперболической. 36. Наоборот. Поле есть форма существования материи; следовательно, оно реально. Силовые линии - средство условного изображения. 37. Неверно. Необходимо сравнить не только абсолютные значения, но учитывать и знак потенциала. 38. Это невозможно, так как U =const = У,Ла-\- '<' л-1/,. Следовательно, если rf,, увеличивается, то f „ уменьшается. В данном случае, наоборот, 7 „ увеличивается, a rf /, уменьшается. 39. Неверно. Емкость действительно не изменится. Заряд не уменьшается, а, наоборст, увеличивается. Подумайте почему. В случае затруднения прочтите консультацию X» 5. 40. Неверно. Пробный заряд из точки и будут перемещаться к отрицательно заряженному телу. 41. Неверно. При параллельном соединении С„г,;ц = С, -\-С?. Если С3>Со, то С„-,„. «С,. 42. Грубая ошибка. Вы путаете гиперболическую зависимость с параболической. Из формулы для напряженности поля ?> уединенного заряда следует, что 7 уменьшается с увеличением R. 43. Правильно. 44. Неверно. При увеличении расстояния между пластинами емкость С уменьшается. Тогда, СОГЛаСНО формуле Q — CU, заряд Q уменьшается. Это происходит За счет ТОГО, ЧТО Часть свободных электронов отрицательной пластины перетекает на положительную. 45. Неверно. Вспомните, какое поле действует между пластинами (однородное или неоднородное) и как оно определяется. Существует ли поле в металлической пластине? 46. Неверно. Применяя эту формулу, вы допускаете ошибку тем большую, чем больше расстояние 1^/}, причем полученный результат будет превышать истинное значение. 47. Неверно. Заряд и напряжение между пластинами конденсатора связаны функциональной зависимостью Q = CU. Таким образом, для того чтобы увеличился заряд, следует увеличить емкость конденсатора. 48. Вы ошибаетесь. Силовые линии поля, начавшись на положительно заряженном теле, должны закончиться на отрицательно заряженном теле. Поэтому электрическое поле бутет существовать и во внешнем пространстве между экраном и, например, землей, как показано на рисунке.

При увеличении расстояния R напряжение U стремится к пределу

2-103.Р. Как изменятся показания приборов при увеличении расстояния между двумя индуктивно-связанными и включенными встречно катушками ( 2.103)? Указать правильный ответ.

При увеличении расстояния между катушками магнитная связь между ними и, следовательно, коэффициент связи k уменьшаются. В результате увеличиваются эквивалентные индуктивность и индуктивнбе сопротивление:

при стандартном импульсе коэффициент импульса в резконеоднород-ном поле возрастает при увеличении расстояния между электродами, а при импульсах типа коммутационного с большой длительностью фронта коэффициент импульса может оказаться даже меньше единицы.

_ не _. было необход и мости в значительном увеличении расстояния от отклоняющих катушек до экрана, а следовательно, и в увеличении всей длины кинескопа, применяют кинескопы с большим углом отклонения. У современных кинескопов угол отклонения, измеряемый между крайними по диагонали растра положениями луча, со-

по следующим причинам. При расположении поверхности нагретого тела 7 ( 24.4) в непосредственной близости от преобразователя, на фокусирующее зеркало попадают лучи с части поверхности тела, ограниченной кругом с диаметром D. При увеличении расстояния между телом и преобразователем плотность радиационного потока убывает пропорционально квадрату этого расстояния. Однако одновременно с этим возрастает площадь поверхности нагретого тела, ограниченная диаметром D и «видимая» телескопом преобразователя. Так как увеличение этой площади также пропорционально квадрату расстояния, то показания прибора остаются примерно постоянными. Например, для пирометра ИАТ изменение начального расстояния в 600 мм на ±100 мм вызывает погрешность показаний не более ±2,5° С. Однако при дальнейшем увеличении расстояния в «поле зрения» преобразователя оказывается не только нагретое тело, но и окружающие его более холодные предметы. В этом случае показания прибора могут сильно отличаться от температуры измеряемого объекта. Диаметр поля зрения преобразователя ИАТ, например с расстояния 600 мм, составляет 160 мм, а с расстояния 6м — 1,6 м. Поэтому измерение температуры тела, в контуры которого вписывается круг диаметром 320 мм, может производиться с различных расстояний, но не более 1,2 м.