Уменьшается приблизительно

При понижении температуры удельное сопротивление р металлов уменьшается. В настоящее время известно, что многие чистые металлы и сложные вещества (сплавы и химические соединения) при охлаждении до некоторой температуры, приближающейся к абсолютному нулю, переходят в состояние сверхпроводимости, с наступлением которого их удельное сопротивление скачком уменьшается практически до нуля. В числе сверхпроводников можно отметить алюминий, ртуть, тантал, свинец, ниобий и его сплавы. Из этих веществ наиболее низкую критическую температуру перехода в сверхпроводящее состояние 1,2 К имеет алюминий.

При //0 уменьшается, практически приближается к нулю при /> \00f0.

как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения ?7ЗН обедненные слои р-п-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается значение тока стока /с. При напряжении отсечки U3H OTc сечение канала уменьшается практически до нуля, и ток /с прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. Рассмотренные процессы иллюстрирует стокозатворная (входная) характеристика /с = ф(?Лн)исн== const ( 2.20, а). Таким образом, управление током стока (основной цепи) почти бестоковое, поскольку на затвор подается обратное напряжение и через него проходит только обратный ток перехода.

Граница между обедненной областью и областью электронейтральности не является резкой вследствие некоторого размытия, обусловленного функцией распределения носителей заряда. По этой причине в однородном примесном полупроводнике концентрация носителей заряда уменьшается практически до нуля на расстояниях около пяти дебаевских длин экранирования 1Э и, следовательно, х определяется с точностью ±2/э. Таким образом, пространственное разрешение вольт-фарадных методов принципиально ограничено значением дебаевской длины экранирования в данном полупроводниковом материале.

пор, пока действует положительная обратная связь и выполняется условие Я0 > 1. Нарушение этого условия наступает при переходе транзистора в режим насыщения в результате роста базового напряжения нБ = ы2 и спада коллекторного напряжения ик = Ук — \и2\ (из-за роста luj). В результате опрокидывания напряжение м, возрастает практически до UK, а мк уменьшается практически до нуля.

зователь ( 9.16) с распределенными магнитными параметрами. Он состоит из магнитопровода с рабочей частью в виде двух параллельных полос, намагничивающей wl и измерительной w2 обмоток. При перемещении обмотки w2 из крайнего левого положения в крайнее правое индуктированная в ней э. д. с. уменьшается практически по линейному закону, если магнитное сопротивление магнитопровода мало по сравнению с магнитным сопротивлением зазора. Преобразователи подобного типа относительно легко выполнить с требуемой функциональной зависимостью между индуктированной э. д. с. ег и преобразуемым перемещением, применив для этого профилированный магнитопровод.

применяется преобразователь ( 20.7, а) с распределенными магнитными параметрами. Он состоит из магнитопровода с рабочей частью в виде двух параллельных полос, намагничивающей wl и измерительной w2 обмоток. При перемещении обмотки w"2 из крайнего левого положения в крайнее правое наводимая в ней э. д. с. уменьшается практически по линейному закону, если магнитное сопротивление магнитопровода мало по сравнению с магнитным сопротивлением зазора. Нелинейность зависимости наведенной э. д. с. от положения вторичной обмотки можно скомпенсировать, выполняя магнитопровод профилированным.

Первичная мощность Рг = m^U^l^ cos cpj остается без изменения. Электромагнитная мощность Рэя — Ма„^ тоже остается без изменения, а полезная мощность Р2 = M3mQ уменьшается практически пропорционально уменьшению скорости. В той же

применяется преобразователь ( 20.7, а) с распределенными магнитными параметрами. Он состоит из магнитопровода с рабочей частью в виде двух параллельных полос, намагничивающей wl и измерительной w2 обмоток. При перемещении обмотки w2 из крайнего левого положения в крайнее правое наводимая в ней э. д. с. уменьшается практически по линейному закону, если магнитное сопротивление магнитопровода мало по сравнению с магнитным сопротивлением зазора. Нелинейность зависимости наведенной э. д. с. от положения вторичной обмотки можно скомпенсировать, выполняя магнитопровод профилированным.

Проводимость канала определяется его сечением. Изменяя напряжение на затворе U3, смещающее при указанной на 3.25, а полярности источника ?3 переходы в обратном направлении, можно изменять сечение канала за счет расширения или сужения обедненных слоев переходов, а следовательно, сопротивление канала и значение проходящего через него тока. При U3 = 0 ток стока /0 проходящий через канал, имеет максимальное значение, так как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения U, обедненные слои р-п-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается ток стока /с. При определенном напряжении, называемом напряжением отсечки [73„ сечение канала уменьшается практически до нуля и возрастание тока 1К прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. Таким образом, управление током стока (основной

Из выражения (1.46) видно, что с увеличением п, т. е. при аппроксимации сигнала s(/) большим числом ортогональных функций ошибка а2 уменьшается. Практически важно так выбрать систему 'базисных функций (r\h(t)}, чтобы обеспечить заданную точность аппроксимации при мшшм.альном числе членов ряда (1.41).

но изменяется световой поток источников света. Для ламп накаливания на каждый процент понижения напряжения световой поток уменьшается приблизительно на 3,6%. При снижении светового потока ламп происходит уменьшение освещенности помещений, которая существенно влияет на производственный процесс. Для отдельных производств увеличение освещенности рабочих мест на 10% приводит к увеличению производительности труда до 14%.

Основные дестабилизирующие факторы: 1) изменение контактной разности потенциалов р — n-перехода затвор — канал (для полевых транзисторов с р — «-переходом), это напряжение уменьшается приблизительно на 2 мВ/1°С с ростом температуры и, таким образом, способствует увеличению тока стока; 2) изменение собственной проводимости материала канала, определяемой различной подвижностью носителей; подвижность с ростом температуры падает, что вызывает уменьшение тока стока. Действия этих двух основных факторов, таким образом, противоположны и частично компенсируют друг друга, стабилизируя в конечном счете режим усилительного каскада на полевом транзисторе. Следует отметить, что температурные изме-

дев данного ЛЭ и емкости нагрузки. Чем больше ток инжектора, тем больше и ток /г, перезаряжающий эти емкости. Поэтому на участке / средняя задержка уменьшается приблизительно обратно пропорционально току инжектора:

Датчики, основанные на измерении добротности. Это, по-видимому, единственная разновидность счетных датчиков, не использующая преобразования измеряемой величины в пространственную фазу. В основу работы таких датчиков положено определение добротности резонаторов как числа периодов свободных колебаний, в течение которых амплитуда колебаний уменьшается приблизительно в 22 раза. Структурная схема цепи для измерения добротности, используемой в установке МУ-4 [Л. 189] для определения внутреннего трения материалов, показана на 27-10, а. Здесь напряжение от преобразователя, воспринимающего колебания образца, поступает через катодный повторитель на дглитель напряжения Д, состоящий из двух равных сопротивлений. Коэффициент передачи делителя скачком меняется от 0,5 до 1 при зажигании тиратрона и срабатывании реле Р.

наличии ловушек, уменьшается приблизительно на A?3/2 по сравнению с энергией, выделяемой при межзонной рекомбинации. По сравнению со средней энергией фононов это уменьшение очень значительно, поэтому число фононов с энергиями Д?3/2 на много порядков больше числа фононов с энергией A?3 (приблизительно в ехр[Д?3/(2?Г)] раз).

Анализ показывает, что в течение стадии нарастания коллекторный ток увеличивается, а выходное напряжение уменьшается приблизительно экспоненциально с постоянной времени

l/f-шум (избыточный шум, фликкер-шум) наблюдается в области низких частот практически во всех материалах и элементах электронных приборов, собственных полупроводниках, электрических переходах: металлических пленках, электролитах, сверхпроводниках, лампах с термокатодами и др. Механизм возникновения шума во всех этих материалах и элементах приборов точно не установлен. Однако спектральная плотность шума уменьшается приблизительно обратно пропорционально частоте по закону А//", где А — некоторая константа; а = 0,8ч-1,4 — коэффициент. Отсюда происходит название l/f-шум. В области низких частот до 105—106 Гц для большинства электронных приборов 1//-шум на 1—2 порядка превышает шумы других видов. Поэтому 1//-шум часто называют избыточным. Механизм возникновения 1//-шума обусловлен медленными случайными флуктуациями физико-химического состояния отдельных областей материалов.

Рассмотренные выше закономерности практически полностью характеризуют положение в электрических сетях с номинальным напряжением до 220 кВ, для которых наивыгоднейшим является наивысший допустимый уровень напряжения. При этом ограничивающими являются допустимые уровни напряжения по условиям работы изоляции и по условиям регулирования напряжения в распределительных сетях. При повышении уровня напряжения в таких сетях улучшаются и другие показатели работы сети. Снижаются потери Q (их относительная величина уменьшается приблизительно на 2&U) и увеличивается генера-

С помощью резистора Rt устанавлива ется смещение транзистора Тг и потенци ал коллектора Г15 причем этот потенциа; меньше, чем напряжение UKK, на удвоен ную величину падения напряжения на пе реходе; тем самым уменьшается влияние эффекта Эрли. В этой схеме нет температурной компенсации; напряжение на Я2 уменьшается приблизительно на 2,1 мВ/°С и вызывает соответствующее изменение выходного тока (0,3%/°С).

Скважность. В некоторых схемах одновибраторов длительность выходного импульса при высокой скважности уменьшается. Типичным примером являются элементы серии ТТЛ 9600-9602, у которых при скважности 60% длительность выходного импульса постоянна, а при скважности 100% уменьшается приблизительно на 5%. Устройство '121 (прекрасное в других отношениях) в этом отношении еще хуже, так как при высокой скважности вообще ведет себя не устойчиво.

т. е. третья гармоника напряжения на выходе фильтра уменьшается приблизительно в 10 раз