Устройств основанных

Для вакуумированных МН перспективно применение магнитных уплотнений. Они изготавливаются в виде пары кольцевых полюсных наконечников постоянного магнита (или электромагнита), охватывающих вращающийся вал. В межполюсную камеру помещена ферромагнитная жидкость, которая заполняет также уплотняемые зазоры с радиальным размером 5% 0,2 мм между валом и полюсами. Жидкость представляет собой коллоидный раствор тонкодисперсных (размером dк, 0,01 мкм) частиц магнитодиэлектрика (феррита) в органическом носителе, например керосине. Она удерживается в рабочем зазоре силами магнитного поля, созданного намагничивающим устройством уплотнения. Достоинство феррожид-костных уплотнений состоит в их высокой вакуумной плотности и малых потерях трения. Недостаток данных устройств определяется тем, что при повышенных линейных скоростях на поверхности вала органический носитель испаряется вследствие нагрева, жидкость густеет и снижает свою уплотняющую способность [4.1]. Преодолеть этот недостаток можно, например, с помощью охлаждающих каналов в конструкции уплотнения. На 4.8, е, ж показаны простейшие схемы устройства магнитных уплотнений.

Накопление сообщений. Необходимость блока накопительных устройств определяется, во-первых, тем, что сообщение, поступающее в центр, в соответствии с алгоритмом функционирования сети КС должно быть накоплено и только после этого передано в направлении, определяемом адресом. Во-вторых, накопление информации обеспечивает согласование скоростей ввода, вывода и внутримашинного обмена. В-третьих, накопление необходимо для преобразования последовательного кода в параллельный. Наконец, в-четвертых, требование сохранности сообщения также ведет к необходимости введения накопительных устройств.

Многообразие частотно-избирательных устройств определяется не только их назначением, но и способом реализации, который во многом зависит от места включения, параметров и функции пассивного фильтра в схеме.

Быстродействие электронных устройств определяется самой природой электрических колебаний. Этот параметр неуклонно повышается в связи с углублением тенденций к микроминиатюризации элементов и устройств в целом.

tg
События, происходящие вне процессора, являются, как правило, программно-независимыми. Изменения состояния управляемого объекта, выход параметров объекта за дозволенные пределы, запросы оператора происходят независимо и асинхронно по отношению к выполняемой в данной момент программе. То же относится и к периферийным устройствам, работающим одновременно с выполнением программы в процессоре: хотя момент начала работы этих устройств определяется обычно программой, продолжительность, а иногда и последовательность отдельных операций в периферийных аппаратах заранее точно не известны.

через соответствующие сопла контактов, гасит дугу. Контакты могут выполняться одно- и двухступенчатыми. Число последовательно включенных дугогасительных устройств определяется номинальным напряжением выключателя. Изоляционный промежуток в отключенном положении обеспечивается расхождением этих же контактов на соответствующее расстояние. Ниже приведены примеры исполнения выключателей.

В выключателях без отделителя широко применяются возду-хонаполненные металлические камеры (резервуары), в которых размещены дугогасительные устройства. Привод контактов отделен от гасящей среды. При размыкании контактов открываются выхлопные клапаны камер и сжатый воздух, вытекая из камер через соответствующие сопла контактов, гасит дугу. Контакты могут выполняться одно- и двухступенчатыми. Число последовательно включенных дугогаситель-ных устройств определяется номинальным напряжением выключателя. Изоляционный промежуток в отключенном положении обеспечивается расхождением этих же контактов на соответствующее расстояние. Ниже приведены примеры исполнения выключателей, поясняющие сказанное.

Выполнение этих устройств определяется типом реле сопротивления. Так, например, применительно к индукционной системе принцип действия устройства сводится к следующему. В цепь обмотки реле с напряжением ?/р ( 4-46) включается емкость 5. Ее значение подбирается так, чтобы получающийся контур оказался настроенным на резонанс при частоте 50 Гц (50-периодный резонанс).

Если за счет дополнительных компенсирующих устройств по сравнению с определенными по формуле (11.26) удается уменьшить число трансформаторов цеховых ТП, то это всегда экономически оправдано. В других случаях мощность компенсирующих устройств определяется с учетом полного использования выбранных трансформаторов цеховых подстанций. Суммарная мощность батарей конденсаторов до J кВ, разделяемая между отдельными трансформаторами цеха, пропорциональна их реактивным нагрузкам.

При отсутствии точных данных расчетный график регулирования мощности компенсирующих устройств определяется по расчетному графику реактивной нагрузки, который может быть построен по расчетным нагрузкам рабочих смен. Мощность, развиваемая конденсаторами, не должна превышать реактивную мощность нагрузки. Упорядоченный расчетный график будет ступенчатым.

Задача частотной избирательности — одна из основных, решаемых приемными устройствами различного назначения. Хорошо известны ограничения и недостатки частотно-селективных устройств, основанных на применении LC-контуров, обычных кварцевых фильтров, активных и цифровых фильтров. Это большие габариты, высокая стоимость, трудности схемной и конструктивной совместимости с микроэлектронными схемами, а в ряде случаев недостаточная стабильность характеристик и невысокий динамический диапазон.

Конечное значение р криопроводника при его рабочей температуре ограничивает допустимую плотность тока в нем, хотя эта плотность может быть" намного выше, чем в обычных проводниках при нормальной или повышенной температуре. Криопроводники, у которых при изменении температуры в широких пределах значение р изменяется плавно (без скачков), нельзя использовать в ряде устройств, основанных на трштерном эффекте появления и нарушения сверхпроводимости. Однако применение криопроводников в электрических машинах, аппаратах, кабелях и т. п. имеет существенные преимущества. Так, если в сверхпроводниковых устройствах в качестве охлаждающего агента применяют жидкий гелий, рабочая температура криопроводников достигается за счет более высококипящих и дешевых хладагентов — жидкого водорода или даже жидкого азота. Это значительно упрощает и удешевляет выполнение и эксплуатацию устройства.

ратостроения применяется ряд конструктивных мер — увеличение контактных нажатий, разветвление контактной системы на параллельные контактные элементы и использование компенсирующих устройств, основанных на электродинамическом или электромагнитном принципах.

Рассмотрены принцип действия, характеристики и параметры полупроводниковых приборов, транзисторных усилителей, импульсных, логических и цифровых устройств, основанных на применении интегральных микросхем. Рассмотрены принцип действия, расчет, характеристики и параметры зависимых вентильных преобразователей, их влияние на питающую сеть, способы построения систем управления. Дан обзор автономных вентильных преобразователей.

В отличие от схем, рассмотренных в гл. 3, в цифровых и логических устройствах нас интересуют не физические параметры электрических импульсов, а лишь их логическое значение, т. е, наличие потенциала (Д = 1) или его отсутствие (Л=0). Эта особенность обусловливает специфику методов анализа и синтеза логических и цифровых устройств, основанных па логической алгебре. Поэтому при изучения цифровых и логических устройств мы не столько продолжаем знакомство с импульсной техникой, сколько входим в мир новых понятий, которые порой весьма далеко отстоят от электротехнических. Не будем все же забывать, что речь идет об электрических цепях с полупроводниковыми элементами и основные положения, рассмотренные нами в гл. 2 и 3, сохраняют свою силу и при работе цифровых и логических устройств.

•если учесть непрерывный рост техники и появление устройств, основанных на новых технических принципах. В частности, в действующих стандартах отсутствует норма-19*

Инженер электронной техники по специальностям 0604 «Полупроводники и диэлектрики» и 0629 «Полупроводниковые и микро-электронные приборы» должен быть специалистом по проектированию, конструированию, технологии и применению приборов и устройств, основанных на различных физических процессах в твердом теле. Без знания принципа действия и свойств конкретного полупроводникового прибора невозможно правильно выполнить расчет, разработать технологию изготовления и организовать производство, исследовать свойства и измерить параметры этого прибора, а также рационально использовать этот прибор в той или иной схеме, в той или иной установке при различных условиях эксплуатации. Соответственно без прочного усвоения физики полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем невозможно понять и усвоить даже основные положения практически всех специальных дисциплин, которые студенты будут изучать в соответствии с учебными планами после дисциплин «Полупроводниковые приборы и микроэлектроника», «Электронные приборы и микроэлектроника», «Физика полупроводниковых приборов», «Электронные и полупроводниковые приборы» и др.

24. Расскажите о работе функциональных устройств, основанных на эффекте Ганна.

устройств, основанных соот-

На протяжении последних 130 лет был создан целый ряд энергетических устройств, основанных на взаимодействии электрического и магнитного полей с движущимися электрическими зарядами. Метод прямого преобразования энергии, рабочим телом в котором является нагретый ионизированный газ, в принципе может обеспечить очень высокий КПД и потому вызывает большой интерес в качестве альтернативы паротурбинным теплоэнергетическим установкам для получения электрической энергии — это магнитогидродинамический генератор или сокращенно МГД-генератор. Его работа основана на взаимодействии рабочего тела с магнитным полем ( 5.21,6). ЭДС создается за счет движения в магнитном поле электронов и ионов нагретого газа.

В практике противоаварийной автоматики в качестве сигналов управления и возмущения (В.2) обычно рассматриваются изменения собственных источников напряжения и параметров электрической системы, однако существует и определенный класс устройств, основанных на использовании внешних источников для контроля и определения параметров объекта (например, защиты от замыканий на землю в целях статора и ротора генератора).