Зависимости электрических

4.5. Графики зависимости эффективности преобразования от степени согласованности сопротивлений

На практике наиболее часто встречаются случаи, когда сопротивления сопрягаемых преобразователей близки к активным. Кривая максимума эффективности преобразования в том случае, как видно из графика 4.5, имеет довольно пологий характер и условия согласования можно считать удовлетворительными при довольно значительных различиях этих сопротивлений вплоть до Ra = 0,25...4^. Такой же характер зависимости эффективности преобразования будет при сопряжении преобразователей, комплексные значения которых ИМеЮТ Одинаковый характер при <рн » «р^. Случаи чисто индуктивного выходного сопротивления ПП (<р< » 4-"/2), чисто емкостного входного сопротивления ПС (Фн » —я/2), и наоборот, практически не встречаются. Кроме того, таких случаев следует избегать, так как вблизи резонанса наблюдается резкая зависимость чувствительности от колебания частоты.

На 16-5 изображена кривая зависимости эффективности преобразования С от качестна четырехполюсника (модуля k) при

4.5. Графики зависимости эффективности преобразования от степени согласованности сопротивлений

На практике наиболее часто встречаются случаи, когда сопротивления сопрягаемых преобразователей близки к активным. Кривая максимума эффективности преобразования в том случае, как видно из графика 4.5, имеет довольно пологий характер и условия согласования можно считать удовлетворительными при довольно значительных различиях этих сопротивлений вплоть до Ra = 0,25... 4/?(. Такой же характер зависимости эффективности преобразования будет при сопряжении преобразователей, комплексные значения которых имеют одинаковый характер при <р„ » <^. Случаи чисто индуктивного выходного сопротивления ПП (<р^ » +л/2), чисто емкостного входного сопротивления ПС (фн ~ — я/2), и наоборот, практически не встречаются. Кроме того, таких случаев следует избегать, так как вблизи резонанса наблюдается резкая зависимость чувствительности от колебания частоты.

29.2. Упрощенная схема нагруженного ИВЭП (а) и график зависимости эффективности ИВЭП

Эффектом, обусловленным увеличением в р-слое ширины запрещенной зоны, является также рост потенциального барьера для электронов на границе р- и /-слоев. Соотношение ширины запрещенной зоны в гетерострук-туре a-SiC : Н (на основе метана)/a-Si: Н выбиралось таким образом, чтобы на границе р -/-слоев на краях энергетических зон появлялись ступеньки. Такой выбор позволяет практически исключить обратную диффузию электронов из /-слоя в р-слой. Наличие такого потенциального барьера играет особенно важную роль, если длины волн падающих фотонов малы. Как показано на 4.2.10, а в элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе этилена) /a-Si: Н ступенька в области границы р- и /-слоев образуется на краю валентной зоны. Так как дырки не могут свободно двигаться в р-слой, фототек в элементах на гетеропереходах a-SiC : Н (на основе этилена) /a-Si: Н может быть ограничен. Экспериментальным подтверждением сказанного может служить спектральная зависимость эффек- _ тивности сбора носителей заряда ( 4.2.11). На этом рисунке представлены экспериментальные данные по эффективности сбора носителей заряда в обычных солнечных элементах нар-/-«-гетеропереходах и в гетеропереходах a-Si: Н (на основе этилена и метана)/a-Si: Н. Эффективность сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходе a-SiC: Н (на основе CH4)/a-Si:H в области малых длин волн более чем вдвое выше эффективности обычных элементов на гомопереходе. В области длин волн ~ 550 нм прирост эффективности снижается до 20 %. Отсюда можно сделать вывод, что повышение эффективности сбора носителей заряда в области малых длин волн обусловлено в основном наличием потенциального барьера на границе р- и /-слоев гетероперехода a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н. Кривая спектральной зависимости эффективности сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе C2H4)/a-Si:H лежит несколько ниже кривой для элемента, изготовленного из a-SiC : Н (на основе СН4) - Положение максимумов спектральных зависимостей эффективности сбора в гетеропереходах a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н и a-SiC : Н (на основе C2H4)/a-Si :H совпадают. Этот результат свидетельствует о том, что положение потенциального барьера на границе р- и г'-слоев в гетеропереходе a-SiC :H (на основе C2H4)/a-Si: Н соответствует показанному на 4.2.10, а.

Эффектом, обусловленным увеличением в р-слое ширины запрещенной зоны, является также рост потенциального оарьера для электронов на границе р- и /-слоев. Соотношение ширины запрещенной зоны в гетерострук-туре a-SiC : Н (на основе метана)/a-Si: Н выбиралось таким образом, чтобы на границе р -/-слоев на краях энергетических зон появлялись ступеньки. Такой выбор позволяет практически исключить обратную диффузию электронов из /-слоя в р-слой. Наличие такого потенциального барьера играет особенно важную роль, если длины волн падающих фотонов малы. Как показано на 4.2.10, а в элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе этилена)/a-Si: Н ступенька в области границы р- и /-слоев образуется на краю валентной зоны. Так как дырки не могут свободно двигаться в р-слой, фототек в элементах на гетеропереходах a-SiC : Н (на основе этилена) /a-Si: Н может быть ограничен. Экспериментальным подтверждением сказанного может служить спектральная зависимость эффек- _ тивности сбора носителей заряда ( 4.2.11). На этом рисунке представлены экспериментальные данные по эффективности сбора носителей заряда в обычных солнечных элементах нар-/-«-гетеропереходах и в гетеропереходах a-Si: Н (на основе этилена и метана)/a-Si: Н. Эффективность сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходе a-SiC: Н (на основе CH4)/a-Si:H в области малых длин волн более чем вдвое выше эффективности обычных элементов на гомопереходе. В области длин волн ~ 550 нм прирост эффективности снижается до 20 %. Отсюда можно сделать вывод, что повышение эффективности сбора носителей заряда в области малых длин волн обусловлено в основном наличием потенциального барьера на границе р- и /-слоев гетероперехода a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н. Кривая спектральной зависимости эффективности сбора носителей заряда в солнечных элементах на гетеропереходах a-SiC:H (на основе C2H4)/a-Si:H лежит несколько ниже кривой для элемента, изготовленного из a-SiC : Н (на основе СН4) - Положение максимумов спектральных зависимостей эффективности сбора в гетеропереходах a-SiC : Н (на основе CH4)/a-Si: Н и a-SiC : Н (на основе C2H4)/a-Si :H совпадают. Этот результат свидетельствует о том, что положение потенциального барьера на границе р- и /-слоев в гетеропереходе a-SiC :H (на основе C2H4)/a-Si: Н соответствует показанному на 4.2.10, а.

Экспериментальные исследования показали, что деятельность оператора может протекать по-разному в зависимости от применяемой им стратегии. На 11.5 показаны характеристические кривые зависимости эффективности восприятия информации Q от числа фиксаций глаз F при разных стратегиях восприятия: Sa — по отдельным элементам (по буквам), S^ — малыми группами

В настоящее время для экранированных панелей применяют окна, изготовленные осаждением металла в вакууме на оптически прозрачную подложку, в качестве которой применяют стекло и некоторые пластмассы (как цветные, так и бесцветные). Толщина подложки не ограничивается, и для уменьшения контрастности может быть нанесен поляризационный слой. Перед осаждением металла может быть нанесен противоотражающий слой. На 2.16 приведены частотные зависимости эффективности экранирования покрытий с различным .удельным сопротивлением, выполненных на стекле. Эти покрытия имеют толщину порядка нескольких микрометров, поэтому затуханием из-за поглощения можно пренебречь. На частотах выше 1 МГц затухание из-за отра-

ними позволяют прогнозировать развитие электрического хозяйства предприятий комплексным методом (с учетом связи электрических и технологических показателей). Однако развитие электрического хозяйства, отраженное в показателях, может рассматриваться как некоторая функция времени. Для предприятий различных отраслей промышленности анализировались* зависимости электрических показателей вида E(V, t), где V—аргумент, отражающий объем производства некоторого вида продукции; t — время (шаг временного отсчета—1 год). Поскольку объем производства для промышленных предприятий также является функцией времени V(t) приблизительно с тем же характером изменения, что и E(t), то можно принять

1.2. Зависимости электрических величин от места металлического КЗ (точка К) j

3.8. Расчетные зависимости электрических величин при глубоком насыщении ТА

9. Электрохимические преобразователи. Принцип действия электрохимических преобразователей основан на зависимости электрических параметров электролитической ячейки от состава и концентрации, температуры и других свойств раствора, а также зависимости электрической разности потенциалов на границе раздела твердой и жидкой фаз от скорости перемещения раствора. Входными сигналами электрохимических преобразователей могут быть разнообразные физические величины: качественный и количественный состав сложных жидких и газообразных сред, давление, скорость, ускорение и т. п. Основными разновидностями электрохимических преобразователей являются электролитические резистивные преобразователи, гальванические, полярографические, электрокинетические, химотронные.

Таким образом, графики, приведенные на 3.8, определяют зависимости электрических величин и для цепи с переменным реактивным элементом. Кривая / соответствует изменению Их, кривая 2 — изменению /, U R, S и созф, а кривые 3 и 4 — реактивной и активной мощностям.

5. Электрохимические преобразователи. Принцип действия этих преобразователей основан на зависимости электрических параметров электролитической ячейки от состава, концентрации и других свойств исследуемого раствора. Входными сигналами электрохимических преобразователей могут быть разнообразные физические величины: качественный и количественный состав сложных жидких и газообразных сред, давление, скорость, ускорение и т. п.

Системный подход, как всегда необходимый при конструировании, приобретает особое значение при конструировании ГИМ СВЧ, где наблюдается наиболее сильная взаимосвязь множества конструкторских и электрофизических параметров. Это вытекает из прямой и сильной зависимости электрических свойств от размерных соотношений. Должны обеспечиваться все общие свойства конструкции, и в первую очередь такие, как технологичность и надежность.

Зависимости электрических характеристик от состава пленки, полученной испарением многокомпонентной системы металлосилиция, очень сложны и не изучены настолько, чтобы было можно предсказать их свойства на основе свойств бинарных, систем. Так, добавка небольших количеств железа к хромосилицию увеличивает сопротивление пленки после термообработки и приводит к смещению ТКС в область отрицательных значений. Однако дальнейшее увеличение количества железа

1.2. Зависимости электрических величин от места металлического КЗ (точка К)

3.8. Расчетные зависимости электрических величин при глубоком насыщении ТА

56.17. График зависимости электрических потерь в двигателе от момента нагрузки в системе ТРН—АД:

2. Эффект Джоуля с выделением теплоты во всем объеме. Согласно теории аддитивности тепловых явлений, половина теплоты Джоуля поступает к горячему спаю, а половина (1/2<2дж) - к холодному (без учета температурной зависимости электрических параметров материала).