Зависимости показаний

Установление зависимости подвижности от температуры Т сводится к определению температурной зависимости параметров Я и v.

На 2.2 показаны кривые температурной зависимости подвижности ц (1/Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике.

лической решетки. Влияние этих механизмов рассеяния уменьшается с увеличением температуры, в то время как рассеяние кристаллической решеткой становится сильнее. Поэтому должен существовать оптимальный интервал температур, в котором влияние рассеяния ионами примеси проявляется в наибольшей степени, а другие механизмы рассеяния оказывают минимальное воздействие на подвижность носителей заряда. Таким образом, анализ температурной зависимости подвижности носителей заряда с помощью формулы Брукса — Херринга позволяет выявить оптимальный температурный интервал и определить концентрацию ионов примеси.

На 3.13 показаны кривые температурной зависимости подвижности ,и(1/Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике.

Зависимость цр = }i,;(.v) может быть определена из концентрационной зависимости подвижности основных дырок Цр = J,p(/Va) с последующей подстановкой в нее закона распределения Na(x) из соотношения (2.80).

Характеристики реального ПТ с /?-«-переходом отличаются от идеализированных из-за несовершенства технологии изготовления, наличия сопротивлений между рабочей областью транзистора и внешними выводами стока и истока (называемых немодулированными сопротивлениями), зависимости подвижности носителей от потенциалов, прикладываемых к электродам ПТ. У МДП транзисторов дополнительное влияние на характеристики оказывают поверхностные состояния, эффекты поверхностного рассеивания, состояние подложки.

Зависимости подвижности и времени жизни от различных факторов (как, например, от концентрации примесей N, подвижных носителей р, п, от температуры Т

§ 1.9. ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И УДЕЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТИ

1.10. Температурные зависимости подвижности нгси-телей заряда при различных концентрациях примесе\

дающим механизмом рассеяния носителей даже при большой концентрации примесей остается рассеяние на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки и соответственно кривые температурной зависимости подвижности носителей заряда в диапазоне высоких температур практически не смещаются с увеличением концентрации примесей.

§ 1.9. Температурные зависимости подвижности носителей заряда и удельной проводимости .... 25

Если вместо электромагнитного реле в коллекторную цепь транзисторного усилителя включить измерительный прибор, то можно, отрегулировав соответствующим образом режим работы усилителя, добиться пропорциональной зависимости показаний измерительного прибора от освещенности фотоэлектрического преобразователя.

1-78. График 1.78,6 зависимости показаний какого из приборов цепи 1.78, а от перемещения движка реостата вверх изображен неправильно, если f=100 В, г=20 Ом?

1-121. На 1.121 изображены схемы нелинейных цепей и под ними графики зависимости показаний вольтметров от положений движков (xfl) реостатов гр. При построении графиков предполагалось, что ГН>Г=ЛР, E=U/2, диоды Д идеальные. В каком из графиков допущена ошибка?

7-42. На 7.42 изображены реостатные преобразователи (датчики) и под ними графики зависимости показаний вольтметра от положения движка U(x) или U(a). В каком из графиков допущена ошибка, если:

При создании приборов для измерения очень малых напряжений (например, э, д. с. термопар) желательно, чтобы всё напряжение подводилось непосредственно к цепи измерительного механизма. В этом случае температурная компенсация осуществляется не с помощью схем, а посредством термомагнитного шунта. Такой шунт выполняется из специальных магнитных материалов (сплавов меди с никелем или железа с никелем), у которых магнитная проницаемость существенно уменьшается при возрастании температуры. Конструктивно термомагнитный шунт представляет собой пластинки, которыми замыкаются полюсные наконечники постоянного магнита. При повышении температуры магнитное сопротивление шунта возрастает, что приводит к увеличению индукции в воздушном зазоре и к малой зависимости показаний от температуры.

~~М------©)— лаемый характер зависимости показаний при-

где /г — калибровочный коэффициент, нормируемый при Гн=0, F(cp,() — периодическая функция фазы коэффициента отражения нагрузки, С — коэффициент, определяющий степень зависимости показаний от фазы коэффициента отражения нагрузки, и зависящий также от собственных отражений ваттметра проходящей мощности.

В качестве примера на 15.11, ^приведена принципиальная схема электродинамического фарадаметра, неподвижная катушка которого включена последовательно с конденсатором емкостью С. Цепи подвижных катушек включены следующим образом: одна — последовательно с измеряемой емкостью Сх, в другая — последовательно с конденсатором известной емкости С2. Для уменьшения зависимости показаний фарадаметра от частоты необходимо, чтобы гг и г2, а также coZ-j и coLa были значительно меньше емкостных сопротивлений l/coCA и 1/соС2.

На 76 представлены зависимости показаний прибора а от величины приложенного напряжения для целых и дефектных изоляторов. Кривые / и 2 относятся к исправным изоляторам П-4,5. Показания прибора начинаются здесь при напряжении, близком к 25 кв, и обусловлены короной на изоляторах. С увеличением напряжения показания возрастают сравнительно медленно. Кривая 3 относится к целому изолятору, но с сильными следами дуги на его поверхности. Кривые 4, 5, 6 относятся к изоляторам с внутренними трещинами. При испытании этих изоляторов прибор начинает давать показания уже при 7-МО кв, и с увеличением напряжения показания резко возрастают.

76. Зависимости показаний а указателя частичных разрядов от величины испытательного напряжения:

Преобразователи с использованием зависимости С = f1 (е) применяются для измерения уровня жидкостей, влажности веществ, толщины изделий из диэлектриков и т. д. Для примера на 245, г дано устройство преобразователя емкостного уровнемера. Емкость между электродами, опущенными в контролируемый сосуд, зависит от уровня жидкости, так как изменение уровня ведет к изменению диэлектрической проницаемости среды между погруженными частями электродов. Изменением конфигурации пластин можно получить желаемый характер зависимости показаний прибора от объема (массы) жидкости.