Значениями удельного

На вход первого звена поступают изделия или полуфабрикаты, которые обладают определенными статистическими значениями выходного параметра и его погрешности. Под влиянием технологических операций эти параметры трансформируются: смещаются

МОДУЛЮ) ЗНаЧеНИЯМИ ВЫХОДНОГО ±/УВыхтах И ВХОДНОГО + ?/вхтах

где Тi — техническое требование для /-го выходного параметра; У/, ном — номинальное значение /-го выходного параметра; б/ —характеристика рассеяния /-го выходного параметра; а/ — весовой коэффициент, причем под условиями работоспособности понимаются соотношения между возможными значениями выходного параметра у,- и соответствующими этому параметру техническими требованиями TJ. В качестве ЦФ выбирается минимальный запас работоспособности Zmin. который максимизируется:

Система вторичных напряжений а, Ь, с сдвинута относительно системы вторичных напряжений (а', Ь', с') на угол 30°. Поэтому и выходные напряжения вентильных комплектов ил\ и Udi сдвинуты на 30 °, временные диаграммы этих напряжений приведены на 6.17. При суммировании этих напряжений на нагрузке в схеме 6.16, а получаем напряжение ив, показанное на 6.17 и имеющее пульсации с частотой юп=12сосети. Коэффициент пульсации в соответствии с (5.3) при т = 12 равен д —0,014, следовательно, качество выходного напряжения лучше, чем у мостовой схемы, рассмотренной в § 6.5. Обратное напряжение на вентилях равно амплитуде линейного напряжения на вторичных обмотках трансформатора, при учете (6.10) [/06p = l,05f/di,2=0)525f/,i. Схема 6.16, а широко применяется в выпрямителях с высокими значениями выходного напряжения.

Важной характеристикой является вариация показаний (выходного сигнала) прибора (преобразователя), под которой понимается разность между показаниями измерительного прибора (значениями выходного сигнала), соответствующими одному и тому же действительному значению измеряемой величины при двух направлениях медленных изменений значения входной величины в процессе подхода к данной точке диапазона измерений.

Выше уже отмечалось, что для многих задач надежности в энергетике бывает достаточно говорить о системах кратковременного действия (п. 1.6.3), когда эффективность системы полностью определяется ее состоянием в рассматриваемый момент времени. Вероятность пребывания системы в том или ином состоянии зависит от безотказности и ремонтопригодности отдельных ее элементов, т.е. от тех или иных показателей надежности элементов. Чем менее надежны элементы системы, тем чаще она будет находиться в состояниях, характеризующихся более низкими значениями выходного эффекта.

Если у перемножителя использовать только один из входов, то он ведет себя как усилитель. Поэтому большинство параметров перемножителей идентично параметрам ОУ. Однако есть и ряд •специфических параметров. Основным из них является относительная погрешность перемножения ? — это отношение максимальной разности между фактическим и теоретическим значениями выходного напряжения к его предельному значению (обычно к 10В). Она определяется при входных напряжениях постоянного тока.

• нелинейность перемножения — максимальная разность между фактическим и теоретическим значениями выходного сигнала;

Регенеративный компаратор ( 1.24) представляет собой схему с положительной обратной, связью. Передаточная характеристика его показана при Uou = 0. В общем случае порог срабатывания определяется, кроме Uon, амплитудными значениями выходного сигнала относительно общей точки ?/^к и коэффициентом обратной связи p = /

Система вторичных напряжений а, Ь, с сдвинута относительно системы вторичных напряжений (а', У, с') на угол 30°. Поэтому и выходные напряжения вентильных комплектов ud\ и Uai сдвинуты на 30°, временные диаграммы этих напряжений приведены на 6.17. При суммировании этих напряжений на нагрузке в схеме 6.16, а получаем напряжение ын> показанное на 6.17 и имеющее пульсации с частотой (оп=12о)сети. Коэффициент пульсации в соответствии с (5.3) при т=12 равен д = 0,014, следовательно, качество выходного напряжения лучше, чем у мостовой схемы, рассмотренной в § 6.5. Обратное напряжение на вентилях равно амплитуде линейного напряжения на вторичных обмотках трансформатора, при учете (6.10) Uo5p= \,05Udi,2 = 0,525С/н. Схема 6.1б', а широко применяется в выпрямителях с высокими значениями выходного напряжения.

Областью безопасных режимов называется совокупность электрических характеристик, при соблюдении которых обеспечивается надежная работа полупроводникового ключа без существенного ухудшения его характеристик и параметров. Границы ОБР определяются предельными значениями выходного тока, напряжения, а также максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой перехода. Безопасная работа ключевых полупроводниковых приборов определяется также режимом эксплуатации. С этой позиции различают прямосмещенную ОБР (ПОБР) (FBSOA — Forward Bias SOA), т.е. в режиме эксплуатации с положительным смещением во входной цепи ключа, обратную ОБР (ООБР) (RBSOA — Reverse Bias SOA) с отрицательным входным смещением, а также ОБР в режиме токовой перегрузки (SCSOA — Short Circuit SOA)

При переходе на бурение с большими значениями удельного момента регулятор вновь начнет поддерживать заданное значение активной составляющей тока статора, а контур осевой нагрузки автоматически отключится.

При переходе на бурение с большими значениями удельного момента регулятор вновь начнет поддерживать заданное значение активной составляющей тока статора, а контур осевой нагрузки автоматически отключится.

2.23. Температурная зависимость сопротивлений резисторов, сформированных на диффузионных слоях с различными значениями удельного поверхностного сопро-

Резистивные -элементы МЭ и ИМ обычно изготавливаются из материалов, обладающих высокими значениями удельного сопротивления. Это могут быть металлы (W, Mo, Re, Та и др.), сплавы (нихром, силициды, карбиды и др.), керметы* (смеси металла и диэлектрика типа Cr—SiO, Cr—SiO2). В полупроводниковых ИМ в качестве резисторов используются области кремния, легированного примесями.

Провод линии характеризуется значениями удельного активного сопротивления г0 и диаметра dap. Для провода марки А25 по справочным данным г0— 1,14 Ом/км, rfnp = 6,4 мм.

напряжения зажигания в коротко-промежуточных приборах С/з.мин) когда прибор заполнен чистым инертным газом, так как за короткое время развития разряда мета-стабили, необходимые для ступенчатой ионизации, не успевают возникнуть в достаточно заметной концентрации. В чистых инертных газах, в которых имеет место ступенчатая ионизация, напряжению горения разряда ?/г соответствует равенство (2-8), а напряжению зажигания — (2-7). Численно f/з.мин и UF в коротко-промежуточных приборах (при пренебрежении незначительной разностью в первом слагаемом между С/д и С/в) отличаются лишь значениями удельного напряжения ионизации UNMKII и U%mn, значения которых приведены в табл. 2-1. В неявном виде на разницу в значениях С/3.миа и Ur могут влиять также неодинаковые значения коэффициента электронно-ионной эмиссии YI соответствующие разным значениям оптимальной напряженности поля (Е/ри)01П и (Е/р0)$т. В режиме зажигания напряженность поля (Е/р0)ОП'г соответствует почти линейному распределению потенциалов в междуэлектродном промежутке (прямая 1 на 2-19, а). В режиме горения разряда напряженность поля (Е/р0) * соответствует начальному наклонному участку кривой потенциалов в катодной части горящего разряда (кривая 2 на том же рисунке). Обозначая коэффициент ионно-электронной эмиссии при зажигании разряда через у *, можно U3MKH в чистых инертных газах вычислить, исходя из равенства

Соотношение между значениями удельного сопротивления во втором и первом случаях определяется следующим равенством:

2.24. Температурная зависимость сопротивлений резисторов, сформированных на диффузионных слоях с различными значениями удельного поверхностного сопротивления:

Для сравнительной оценки объемной и поверхностной проводимости различных материалов пользуются значениями удельного объемного сопротивления р и удельного поверхностного сопротивления ps.

Удельная поверхностная проводимость тем ниже, чем меньше полярность вещества, чем чище поверхность диэлектрика и чем лучше она отполирована. Наиболее высокими значениями удельного поверхностного сопротивления обладают неполярные диэлектрики, поверхность которых не смачивается водой. Полярные диэлектрики характеризуются более низкими значениями р5, заметно уменьшающимися во влажной среде. Особенно резкое понижение удельного поверхностного сопротивления можно наблюдать у полярных диэлектриков, частично растворимых в воде, у которых на поверхности образуется пленка электролита. Кроме того, к поверхности полярных диэлектриков легко прилипают различные загрязнения, также приводящие к снижению ps. Низкие значения удельного поверхностного сопротивления имеют и объемно-пористые материалы, так как процесс поглощения влаги толщей материала стимулирует также и образование поверхностных пленок воды.

Для различных металлов скорости хаотического теплового движения электронов »т (при определенной температуре) примерно одинаковы. Незначительно различаются также и концентрации свободных электронов л0 (например, для меди и никеля это различие меньше 10 %). Поэтому значение удельной проводимости у (или удельного сопротивления р) в основном зависит от средней длины свободного пробега электронов в данном проводнике К, которая, в свою очередь, определяется структурой проводникового материала. Все чистые металлы с наиболее правильной кристаллической решеткой характеризуются наименьшими значениями удельного сопротивления; лэимеси, искажая решетку, приводят к увеличению р. К такому же выводу можно прийти, исходя из волновой природы электронов. Рассеяние электронных волн происходит на дефектах кристаллической решетки, которые соизмеримы с расстоянием около четверти